NCE SJ MOSFET G4.0 800V e 900V Introdução ao produto

2025,10,24

A superjunção MOS adota um design de estrutura vertical. Na região de deriva, as regiões verticais da coluna do tipo P e as regiões da coluna do tipo N são dispostas alternadamente para formar uma unidade de "superjunção". Através da tecnologia de compensação de carga, ele rompe o dispositivo de alta tensão do semicondutor de potência tradicional que é limitado pelo “limite de silício”. Seu design central atinge o equilíbrio entre baixa resistência e alta tensão de ruptura, otimizando a distribuição do campo elétrico. Além disso, o MOSFET de superjunção tem menor resistência e distribuição de carga mais otimizada, de modo que sua velocidade de comutação é geralmente mais rápida do que a dos MOSFETs comuns, o que ajuda a reduzir a perda de comutação no circuito. Devido ao seu excelente desempenho de alta tensão e relação de eficiência energética, o MOSFET de superjunção é mais adequado para cenários de aplicação de alta tensão e alta potência.

O NCE Gen.4, baseado na tecnologia MOSFET de superjunção original, melhorou ainda mais seu desempenho por meio de atualizações tecnológicas, aumentando a densidade estrutural do dispositivo, reduzindo a resistência característica; aumentando a densidade de potência do dispositivo, possibilitando um aumento significativo na capacidade de corrente dentro do mesmo volume, e também melhorando aspectos como as características de temperatura da resistência ligada.

Gen.4 Super Junction MOSFET (Super Junction MOSFET IV) lançou recentemente uma série de produtos de 800V e 900V. A versão 800V inclui uma nova série com diodos de recuperação rápida.

Comparação dos valores do multiplicador Rdson sob alta temperatura para produtos da mesma especificação: Comparado com Gen3, Gen4 diminuiu 16%; Os produtos Gen4 e internacionais I atingiram o mesmo nível.