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Evolução dos chips IoT ao longo de 20 anos, presa em uma etapa crucial Os padrões mudaram, então os chips precisam ser reescritos novamente. Durante esta transformação, a GSMA lançou a especificação SGP.32 para cenários de IoT em 2023. Em comparação com a especificação SGP.02 anteriormente projetada para dispositivos de consumo, a mudança mais significativa na SGP.32 é que ela elimina a necessidade de interação manual no local. Os dispositivos podem concluir atualizações de configuração e...
A definição de ST para microcontroladores gerais (MCUs) não inclui MCUs de segurança e MCUs de nível automotivo. Fonte: Omdia, "Annual 2001–2025 Semiconductor Market Share Competitive Landscape Tool", março de 2026. Os resultados acima não constituem um endosso da STMicroelectronics. Qualquer confiança nestes resultados por parte de terceiros é por sua própria conta e risco. A participação de mercado é calculada com base na receita (em dólares americanos).
1. Introdução do produto O CRSZ014N08N5Z lançado pela PIBG é a mais recente conquista da plataforma tecnológica SGT de 5ª geração da empresa. Seu desempenho abrangente foi significativamente aprimorado. Em comparação com o produto da geração anterior, o CRSZ014N08N5Z fez melhorias notáveis em indicadores-chave, como SOA e UIS, e pode fornecer uma solução mais segura e confiável para aplicações BMS.2. Superioridade do produto 2.1. Melhoria significativa de desempenho Comparação dos parâmetros...
A última edição do "Relatório Técnico Sanken" (Vol. 57) foi lançada!
O "Relatório Técnico SANKEI" é uma coleção de artigos técnicos que apresentam as mais recentes tecnologias e produtos desenvolvidos pelo Grupo SANKEI para alcançar uma sociedade com economia de energia. A última edição (Vol. 57) de novembro de 2025 foi lançada. Desta vez, apresentaremos o status de desenvolvimento do conversor AC/DC IC "série STR5A300" para todos. · Resumo · A série STR5A300 é um IC de potência projetado para aplicações de energia não isoladas. Possui um...
A ST Microelectronics anunciou que os microcontroladores de uso geral STM32 fabricados localmente na China já começaram a ser entregues. O primeiro lote de produtos wafer ST Microelectronics STM32, que foram contratados para produção pela Huahong Hongli, foi enviado sucessivamente para clientes nacionais. Este marco marca um progresso significativo na estratégia global da cadeia de fornecimento da ST Microelectronics. A empresa planeja alcançar a produção em massa local de mais séries de...
I. Introdução do produto O produto QCS7209BF lançado pela PIBG alcançou desempenho avançado internacional e passou na certificação de confiabilidade AEC-Q100 (Grau 2). O QCS7209BF envia sinais ultrassônicos através do transdutor do driver, amplifica e converte os sinais de eco recebidos e executa processamento de otimização, como controle de ganho de tempo (TGC), geração de limite (TG), ajuste de limite (TA), aprimoramento de sinal (SE) e detecção de eco (RWD) através da unidade de...
Introdução de produto do MOSFET NCE 150V Wide SOA SGT
Vantagem Central Recursos básicos do produto Cenários de aplicação Fontes de alimentação industriais: Fonte de alimentação a laser, sistema UPS Veículos elétricos: controlador de velocidade do ventilador de ar condicionado automotivo, carregador de bordo Armazenamento de Energia: Sistema BMS Comunicação/Servidor: Hot Swap Esquema de nomenclatura
Recentemente, a ST (STMicroelectronics) lançou o Stellar P3E, que é o primeiro microcontrolador automotivo (MCU) a integrar um acelerador de IA e é projetado especificamente para inteligência automotiva de ponta. Stellar P3E visa o futuro desenvolvimento de veículos definidos por software e pode simplificar a integração multifuncional da unidade de controle eletrônico (ECU) " X-in-one ", reduzindo assim os custos, peso e complexidade do sistema. A característica distintiva do Stellar...
A NXP Semiconductors anunciou o lançamento de sua primeira série de transceptores PMD 10BASE-T1S produzidos em massa, incluindo o TJA1410 para aplicações automotivas e o TJF1410 para controle industrial e aplicações de automação predial. Esses dois dispositivos representam uma evolução significativa na tecnologia Ethernet, permitindo que os OEMs estendam a cobertura Ethernet até a borda da rede e estabeleçam uma base de rede unificada e escalável para acelerar a transição para arquiteturas...
Introdução do produto Tecnologia Central Área de Aplicação
Mapa de inovação em semicondutores de potência da Mitsubishi Electric 2025
Aparelho com DIPIPMTM: Design compacto, eficiência poderosa Novos módulos IGBT de geração de energia: atualização de energia, capacitação verde Módulos HV para tração e transmissão de energia: alta tensão, carga pesada, escolta estável Esta série de módulos de potência de alta capacidade, ao adotar componentes proprietários de diodo e IGBT e combinar com uma estrutura de terminal de chip exclusiva, pode melhorar significativamente o desempenho de resistência à umidade, melhorar efetivamente a...
Visão geral do produto Tamanho pequeno, alta confiabilidade, baixo custo. Trinity aumenta a resistência do produto Avaliação e certificação rigorosas para garantir a qualidade dos produtos para envio Adotando o modelo IDM para construir um sistema de cadeia de suprimentos seguro e confiável Especificação do produto Cenário típico de aplicação - Carregamento rápido para celulares Lista de produtos No subcampo OVP bidirecional de 40 V, em comparação com produtos da mesma especificação na...
NCE 250V Recuperação reversa ultrarrápida SGT MOSFET Introdução ao produto
Vantagem Central Características Básicas Área de Aplicação Comunicação Fonte de alimentação industrial Circuito inversor Controle de motor 48V - 100V Amplificação de áudio classe D Para diferentes cenários de aplicação, a New Energy Power lançou diversas séries de produtos. No modelo NCEP025S90T, a letra “S” indica que este produto pertence à série super recuperação. Se não houver nenhuma letra aqui, indica a série geral da plataforma.
Análise do Princípio de Funcionamento da Proteção de Baterias de Lítio Comparação de esquemas de proteção de bateria de lítio O MOSFET de baixa tensão tipo slot NCE é adequado para aplicações em esquemas de proteção de baterias de lítio.
Os módulos de energia Jinlan capacitam a transformação de energia com tecnologia "Core"
A implementação de políticas depende, em última análise, da inovação tecnológica e de produtos fiáveis. A Jinlan Power Semiconductor, aproveitando suas vantagens de chip autodesenvolvido e recursos de ajuste personalizados, lançou soluções completas de módulos de energia em três áreas principais: armazenamento de energia, transformadores fotovoltaicos e de estado sólido. Atualmente, a maioria de seus produtos passou nos testes dos clientes e entrou na fase de produção em massa. ...
Introdução do produto lançou um produto adequado para inversores fotovoltaicos tipo string de 125KW: JL3T400V120SE3G7SS. Adota o pacote Jinlan LE3 (compatível com o pacote Easy 3B). Já passou nos testes dos clientes e está atualmente em fase de fornecimento em massa. Tecnologia central Excelentes parâmetros dinâmicos e estáticos, baixa queda de tensão, baixa perda dinâmica, adequados para cenários de aplicação de alta frequência e alta potência Através de um conjunto completo de verificação de...
O Power Device Business Group (PDBG) da China Resources Microelectronics alcançou outro avanço significativo em seu segmento de módulo de acionamento principal SiC. O módulo de acionamento principal SiC MOS de quarta geração desenvolvido de forma independente pela PDBG foi apresentado com sucesso a um fabricante automotivo líder e agora está em produção em massa para instalação em veículos. Este módulo é baseado no chip da plataforma SiC MOS G4 de 1200V da PDBG, apresentando um pacote ValueDual...
O rápido desenvolvimento da nova indústria de veículos energéticos está impulsionando uma forte demanda por soluções de gerenciamento de energia de alto desempenho, alta eficiência e altamente confiáveis. O Power Device Business Group (doravante denominado PDBG), com base em seu profundo acúmulo técnico no campo de semicondutores e contando com o layout de toda a cadeia do IDM, tem se concentrado continuamente nos campos de controle industrial de ponta e eletrônica automotiva, promovendo...
Entre os motores usados para acionar os motores trifásicos de alta tensão da 【Série SAM2】, o 【SAM265M50AS3】 foi oficialmente colocado em produção em massa. A 【Série SAM2】 adota um design integrado tudo-em-um, incorporando componentes de comutação de saída, pré-drivers, diodos de auto-reforço com resistores limitadores de corrente e termistores, que são todos os componentes essenciais necessários para controlar acionamentos de motores trifásicos. O 【SAM265M50AS3】 atualmente produzido em massa...
Novo produto O Grupo Mitsubishi Electric anunciou em 11 de setembro de 2025 que começará a fornecer novos módulos compactos de semicondutores de potência DIPIPM para equipamentos domésticos e industriais (como condicionadores de ar de gabinete, aquecimento de bomba de calor e sistemas de água quente) em 22 de setembro. A nova série Compact DIPIPM inclui PSS30SF1F6 (corrente nominal 30A/tensão nominal 600V) e PSS50SF1F6 (corrente nominal 50A/tensão nominal 600V). Ao adotar transistores...
Módulo IGBT de alta densidade de corrente LE2 200A/650V
Módulo IGBT de alta densidade de corrente LE2 200A/650V JL3I200V65RE2PN é um módulo inversor de três níveis 650V / 200A INPC, usando chips IGBT7 com tecnologia de terminação de trincheira, equipado com um termistor (NTC) e tecnologia de pino de crimpagem PressFIT opcional. Este módulo IGBT é recomendado para uso em filtros de potência ativos (APF) e outras aplicações de três níveis. O APF pode ser amplamente aplicado nas redes de distribuição de indústrias, empresas e organizações...
Introdução aos produtos SOA MOSFET amplos da série HO da NCE
Principais vantagens tecnológicas 1. Corrente de curto-circuito de zona linear superforte, comparação de valores medidos de capacidade de curto-circuito O teste de capacidade de curto-circuito foi conduzido entre o produto representativo da ampla série SOA HO, NCE09N70A, e o produto mais antigo do mesmo nível de potência da NCE: a capacidade de curto-circuito na faixa linear aumentou em 50%, e a capacidade de curto-circuito da primeira categoria aumentou em 50%. 2. Área operacional segura...
NCE SJ MOSFET G4.0 800V e 900V Introdução ao produto
Comparação dos valores do multiplicador Rdson sob alta temperatura para produtos da mesma especificação: Comparado com Gen3, Gen4 diminuiu 16%; Os produtos Gen4 e internacionais I atingiram o mesmo nível. Comparação FOM: A versão Gen4 é 25% inferior ao Gen3 e aos produtos internacionais I. Modelo de produto Recursos do produto ● Densidade de corrente de alta potência ●Rsp com resistência ultrabaixa ● Alta confiabilidade ● Melhor FOM ● As características de temperatura da resistência de condução...
Chip de driver de porta em fase de canal duplo NSG4427 2A
NSG4427 é um driver de porta em fase MOSFET e IGBT de potência de baixa tensão. A tecnologia CMOS proprietária de imunidade de trava permite alta robustez. O nível de entrada é compatível com níveis de saída lógica CMOS ou LSTTL tão baixos quanto 3,3V. Possui uma ampla faixa de VCC, bloqueio de subtensão com atraso e um estágio de buffer de corrente de saída. A conexão paralela de dois canais pode aumentar a capacidade de condução. Características do produto: Substituição PIN2PIN do Infineon...
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