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A Mitsubishi Electric começará a fornecer amostras de chips simples para o SiC MOSFET de 5ª geração
Lançamento de novo produto Trench gate SiC MOSFET wafer/Layout de chip nu do Trench gate SiC MOSFET (amostra de renderização) A Mitsubishi Electric Corporation anunciou em 4 de junho de 2026 que começará a fornecer amostras de dois novos chips simples SiC MOSFET de 5ª geração a partir do final de junho do mesmo ano. Este chip é adequado para inversores motorizados e eAxles¹ (eixos elétricos) em veículos elétricos (EVs), veículos elétricos híbridos plug-in (PHEVs) e outros veículos eletrificados...
Recentemente, a 13ª Conferência de Inovação em Eletrônica Automotiva de Xangai e a Exposição de Aplicação de Tecnologia de Semicondutores Automotivos AEIF 2026 foram concluídas com sucesso. Neste banquete da indústria que reuniu as elites globais da eletrônica automotiva, a BYD Semiconductor se destacou por sua tecnologia de ponta - os chips BMS AFE de classe automotiva BF8915A-1/BF8915B-1 ganharam o "2026 Automotive Electronics Golden Chip Award - Outstanding Product Award" de uma só...
Com o aumento contínuo nos requisitos de eficiência do sistema de energia e densidade de potência em aplicações como novas energias, fontes de energia de carregamento rápido, fontes de alimentação de servidores, inversores fotovoltaicos e acionamentos de motores industriais, os dispositivos de energia de carboneto de silício (SiC) estão se tornando o foco da atenção da indústria devido às suas excelentes propriedades de material. Recentemente, a Longten Semiconductor lançou oficialmente cinco...
Introdução do produto Característica do produto Tecnologia Central ◆ Vantagens do chip: Equipado com corte de canal micro-ranhura de 7ª geração GEN.7 IGBT ◆ Expansão da Personalização: Suporta requisitos personalizados dos clientes para diversas faixas de potência ◆ Produção enxuta: Os sistemas MES e ERP garantem que as informações de produção no módulo possam ser rastreadas. Área de Aplicação Sistema de armazenamento de energia Inversor fotovoltaico Outras aplicações de três...
A STMicroelectronics lançou dois conversores VIPerGaN de alta tensão de 100 W, estendendo a tecnologia de economia de energia de banda larga para eletrodomésticos, automação predial e residencial, iluminação inteligente, bem como produtos de consumo, como TVS e carregadores. Os dois conversores de energia recém-lançados são o VIPerGaN100W com corrente limite de fuga de 3,5A e o VIPerGaN100WB com 4,2A. Este último pode suportar brevemente uma potência de pico de 125W. Essa margem flexível evita...
Recomendação de novo produto Maplesemi: série 750V SiC MOSFET
Recentemente, a Maplesemi Semiconductor lançou uma série de produtos SiC MOSFET 750V. Através do design inovador da estrutura do dispositivo, alcançou um avanço tecnológico no desligamento de tensão zero, resolvendo efetivamente a dependência do tradicional SiC MOSFET no desligamento de tensão negativa e fornecendo uma solução mais simples e confiável para sistemas de energia de alta densidade. Principais destaques do produto — Margem nominal de tensão acima de 800 V, com maior capacidade de...
Em cenários de aplicação como nova conversão de frequência de energia, controle industrial, armazenamento de energia fotovoltaica, conversão de frequência de pequenos eletrodomésticos e servo acionamento, atualizações de eficiência energética, miniaturização e alta confiabilidade tornaram-se necessidades essenciais na indústria. À medida que a estratégia global de neutralidade carbónica continua a avançar, os países estão a reforçar os padrões de eficiência energética para equipamentos...
O primeiro MOSFET de alta tensão da Longten Semiconductor baseado na nova plataforma G3 Super Junction 650V -LSD65R150G3 - foi oficialmente lançado no mercado. Este dispositivo adota um pacote TO-220F totalmente isolado, apresentando menor resistência, carga de porta superior e velocidade de comutação mais rápida, fornecendo uma nova geração de soluções de energia principais para aplicações como fontes de alimentação LED, adaptadores de alta eficiência, fontes de alimentação de alta potência e...
Recentemente, Longten lançou um MOSFET de potência de superjunção de canal N de 600V, 80A e 37mΩ. Contando com o suporte duplo de tecnologia avançada de superjunção e processo inovador de expansão de platina, o produto, com suas principais vantagens de perda ultrabaixa, excelentes características de diodo corporal, alta confiabilidade de nível industrial e forte adaptabilidade de cena, traz uma solução totalmente nova e atualizada para aplicações de fonte de alimentação de alta potência e alta...
Carregamento lento, ansiedade quanto à autonomia da bateria, sobreaquecimento do veículo durante o carregamento e riscos de segurança em cenários de alta tensão... Estes problemas de longa data que atormentam os proprietários de veículos elétricos foram agora todos resolvidos com soluções abrangentes! Com a plataforma de alta tensão de 1000 V se tornando a tendência dominante na indústria de veículos elétricos, a tecnologia Mwahua Flash Charging 2.0 elevou a eficiência de carregamento a um novo...
Evolução dos chips IoT ao longo de 20 anos, presa em uma etapa crucial Os padrões mudaram, então os chips precisam ser reescritos novamente. Durante esta transformação, a GSMA lançou a especificação SGP.32 para cenários de IoT em 2023. Em comparação com a especificação SGP.02 anteriormente projetada para dispositivos de consumo, a mudança mais significativa na SGP.32 é que ela elimina a necessidade de interação manual no local. Os dispositivos podem concluir atualizações de configuração e...
A definição de ST para microcontroladores gerais (MCUs) não inclui MCUs de segurança e MCUs de nível automotivo. Fonte: Omdia, "Annual 2001–2025 Semiconductor Market Share Competitive Landscape Tool", março de 2026. Os resultados acima não constituem um endosso da STMicroelectronics. Qualquer confiança nestes resultados por parte de terceiros é por sua própria conta e risco. A participação de mercado é calculada com base na receita (em dólares americanos).
![[Lançamento de novo produto] CRMICRO lança produtos SGT MOS de alto desempenho de quinta geração para garantir operação eficiente e confiável de BMS](http://bsg-i.nbxc.com/company/7b/174bcf1258e51cac557d545a4e85d7.jpg?x-oss-process=image/resize,w_500/format,jpg)
1. Introdução do produto O CRSZ014N08N5Z lançado pela PIBG é a mais recente conquista da plataforma tecnológica SGT de 5ª geração da empresa. Seu desempenho abrangente foi significativamente aprimorado. Em comparação com o produto da geração anterior, o CRSZ014N08N5Z fez melhorias notáveis em indicadores-chave, como SOA e UIS, e pode fornecer uma solução mais segura e confiável para aplicações BMS.2. Superioridade do produto 2.1. Melhoria significativa de desempenho Comparação dos parâmetros...
A última edição do "Relatório Técnico Sanken" (Vol. 57) foi lançada!
O "Relatório Técnico SANKEI" é uma coleção de artigos técnicos que apresentam as mais recentes tecnologias e produtos desenvolvidos pelo Grupo SANKEI para alcançar uma sociedade com economia de energia. A última edição (Vol. 57) de novembro de 2025 foi lançada. Desta vez, apresentaremos o status de desenvolvimento do conversor AC/DC IC "série STR5A300" para todos. · Resumo · A série STR5A300 é um IC de potência projetado para aplicações de energia não isoladas. Possui um...
A ST Microelectronics anunciou que os microcontroladores de uso geral STM32 fabricados localmente na China já começaram a ser entregues. O primeiro lote de produtos wafer ST Microelectronics STM32, que foram contratados para produção pela Huahong Hongli, foi enviado sucessivamente para clientes nacionais. Este marco marca um progresso significativo na estratégia global da cadeia de fornecimento da ST Microelectronics. A empresa planeja alcançar a produção em massa local de mais séries de...
I. Introdução do produto O produto QCS7209BF lançado pela PIBG alcançou desempenho avançado internacional e passou na certificação de confiabilidade AEC-Q100 (Grau 2). O QCS7209BF envia sinais ultrassônicos através do transdutor do driver, amplifica e converte os sinais de eco recebidos e executa processamento de otimização, como controle de ganho de tempo (TGC), geração de limite (TG), ajuste de limite (TA), aprimoramento de sinal (SE) e detecção de eco (RWD) através da unidade de...
Introdução de produto do MOSFET NCE 150V Wide SOA SGT
Vantagem Central Recursos básicos do produto Cenários de aplicação Fontes de alimentação industriais: Fonte de alimentação a laser, sistema UPS Veículos elétricos: controlador de velocidade do ventilador de ar condicionado automotivo, carregador de bordo Armazenamento de Energia: Sistema BMS Comunicação/Servidor: Hot Swap Esquema de nomenclatura
Recentemente, a ST (STMicroelectronics) lançou o Stellar P3E, que é o primeiro microcontrolador automotivo (MCU) a integrar um acelerador de IA e é projetado especificamente para inteligência automotiva de ponta. Stellar P3E visa o futuro desenvolvimento de veículos definidos por software e pode simplificar a integração multifuncional da unidade de controle eletrônico (ECU) " X-in-one ", reduzindo assim os custos, peso e complexidade do sistema. A característica distintiva do Stellar...
A NXP Semiconductors anunciou o lançamento de sua primeira série de transceptores PMD 10BASE-T1S produzidos em massa, incluindo o TJA1410 para aplicações automotivas e o TJF1410 para controle industrial e aplicações de automação predial. Esses dois dispositivos representam uma evolução significativa na tecnologia Ethernet, permitindo que os OEMs estendam a cobertura Ethernet até a borda da rede e estabeleçam uma base de rede unificada e escalável para acelerar a transição para arquiteturas...
Introdução do produto Tecnologia Central Área de Aplicação
Mapa de inovação em semicondutores de potência da Mitsubishi Electric 2025
Aparelho com DIPIPMTM: Design compacto, eficiência poderosa Novos módulos IGBT de geração de energia: atualização de energia, capacitação verde Módulos HV para tração e transmissão de energia: alta tensão, carga pesada, escolta estável Esta série de módulos de potência de alta capacidade, ao adotar componentes proprietários de diodo e IGBT e combinar com uma estrutura de terminal de chip exclusiva, pode melhorar significativamente o desempenho de resistência à umidade, melhorar efetivamente a...
Visão geral do produto Tamanho pequeno, alta confiabilidade, baixo custo. Trinity aumenta a resistência do produto Avaliação e certificação rigorosas para garantir a qualidade dos produtos para envio Adotando o modelo IDM para construir um sistema de cadeia de suprimentos seguro e confiável Especificação do produto Cenário típico de aplicação - Carregamento rápido para celulares Lista de produtos No subcampo OVP bidirecional de 40 V, em comparação com produtos da mesma especificação na...
NCE 250V Recuperação reversa ultrarrápida SGT MOSFET Introdução ao produto
Vantagem Central Características Básicas Área de Aplicação Comunicação Fonte de alimentação industrial Circuito inversor Controle de motor 48V - 100V Amplificação de áudio classe D Para diferentes cenários de aplicação, a New Energy Power lançou diversas séries de produtos. No modelo NCEP025S90T, a letra “S” indica que este produto pertence à série super recuperação. Se não houver nenhuma letra aqui, indica a série geral da plataforma.
Análise do Princípio de Funcionamento da Proteção de Baterias de Lítio Comparação de esquemas de proteção de bateria de lítio O MOSFET de baixa tensão tipo slot NCE é adequado para aplicações em esquemas de proteção de baterias de lítio.
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