Jinlan Power Semiconductor lança três módulos de armazenamento de energia de três níveis de 215 kW na série LE3

2026,06,01

Com o avanço da nova tecnologia energética fotovoltaica, as soluções inteligentes de 1500 V têm sido amplamente adotadas em centrais eléctricas montadas no solo em todo o mundo e também estão a ser aplicadas em certos sistemas distribuídos em telhados de grande escala. Ao aproveitar tensão mais alta, maior produção de energia e melhores relações entre capacidade e potência, esta solução reduz significativamente os custos gerais. Os três módulos de armazenamento de energia LE3 de 215kW da Jinlan Power Semiconductor, com dissipação de calor eficiente, tecnologia de chip autocontrolado e opções de configuração flexíveis, visam abordar os pontos problemáticos da indústria em aplicações de 1500V e estabelecer um novo padrão para inovação tecnológica no setor.

Módulo 600A 1100V INPC baseado no pacote LE3

Introdução do produto

lançou três módulos de armazenamento de energia INPC de 215KW da série LE3, que atendem a vários requisitos de eficiência e custo. Eles podem ser selecionados de forma flexível com base nas necessidades reais de aplicação dos clientes. Com o núcleo de autonomia tecnológica, design modular e serviço ágil, eles são otimizados camada por camada, de chips a sistemas, fornecendo valor triplo de “alta eficiência, confiabilidade e flexibilidade” para o novo campo de energia.

O modelo: JL3I600V110SE3E7SS pode atingir uma produção de mais de 280KW em condições extremas quando combinado com Si3N4 AMB.

Módulo 215KW - Eficiência trifásica

A temperatura máxima de junção do chip do módulo 215KW

Característica do produto

Excelentes parâmetros dinâmicos e estáticos, baixa queda de tensão, baixa perda dinâmica, adequados para cenários de aplicação de alta frequência e alta potência
IGBT com BV de 1100V, levando em consideração tanto a perda de potência quanto as considerações de estresse de tensão do lado do cliente
Através de um conjunto completo de verificação de confiabilidade em nível de chip e pacote
O empenamento do módulo acabado é controlado em 0,3 mm, e o efeito de revestimento da pasta condutora térmica da superfície de base superior é ainda mais notável.
A seleção de substratos ZTA/AMB garante desempenho superior de dissipação de calor e maior confiabilidade.
Modelo modular aberto, combinado com simulação de condições operacionais do cliente

Tecnologia Central

◆ Vantagens do chip: Equipado com corte de canal micro-ranhura de 7ª geração GEN.7 IGBT

◆ Expansão da Personalização: Suporta requisitos personalizados dos clientes para diversas faixas de potência

◆ Produção enxuta: Os sistemas MES e ERP garantem que as informações de produção no módulo possam ser rastreadas.

Área de Aplicação

Sistema de armazenamento de energia
Inversor fotovoltaico
Outras aplicações de três níveis

Contal -nos

Autor:

Mr. qinweidz

E-mail:

carolyne@gisiancorp.com

Phone/WhatsApp:

13728165816

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