[Lançamento de novo produto] CRMICRO lança produtos SGT MOS de alto desempenho de quinta geração para garantir operação eficiente e confiável de BMS

2026,04,02

Com a melhoria contínua dos requisitos de desempenho das baterias para novos veículos energéticos e sistemas de armazenamento de energia, os sistemas de baterias estão a evoluir para tensões mais elevadas, capacidades maiores e densidades de energia mais elevadas. Isto exige que o componente principal - o Sistema de Gerenciamento de Bateria (BMS) - possua maior precisão, capacidades de monitoramento mais fortes e um nível de segurança mais alto para atender consistentemente às rigorosas demandas do mercado em termos de alcance, vida útil e segurança da bateria. De acordo com as previsões das instituições relevantes, espera-se que o tamanho do mercado global de BMS exceda 100 mil milhões de yuans até 2027, tornando-se uma área chave de crescimento na transformação energética. Visando este segmento de mercado em rápido crescimento, o Power Integration Business Group (PIBG) da China Resources Microelectronics lançou o SGT MOSFET de quinta geração - CRSZ014N08N5Z, trazendo um avanço em tecnologia e experiência de produto para o mercado global de BMS.

△ Formato da embalagem do produto: TOLL

1. Introdução do produto

O CRSZ014N08N5Z lançado pela PIBG é a mais recente conquista da plataforma tecnológica SGT de 5ª geração da empresa. Seu desempenho abrangente foi significativamente aprimorado. Em comparação com o produto da geração anterior, o CRSZ014N08N5Z fez melhorias notáveis em indicadores-chave, como SOA e UIS, e pode fornecer uma solução mais segura e confiável para aplicações BMS.

2. Superioridade do produto

2.1. Melhoria significativa de desempenho

Comparação dos parâmetros de medição: Em comparação com os principais produtos da indústria (com uma resistência máxima no estado de aproximadamente 1,4 mΩ), o RDS(on) medido do CRSZ014N08N5Z é o mais baixo. Seu valor VTH típico é 3,1V, o que não apenas atende ao requisito de baixo RDS(on) quando o canal está totalmente aberto durante a condução em estado estacionário, mas também permite um limite de desligamento mais rápido durante o desligamento.

△ Teste de parâmetros DC

Características SOA: Nos cenários de proteção do circuito principal e controle de energia do BMS, as características SOA dos MOSFETs são os fatores-chave para garantir sua operação segura e confiável. Para atender aos requisitos de operação segura e estável do sistema, o PIBG, baseado na plataforma tecnológica SGT de 5ª geração, definiu e otimizou rigorosamente as características SOA dos MOSFETs.

A medição real e a comparação da forma de onda mostram que , sob as mesmas condições Roff, ao simular a capacidade de desligamento lento do BMS, a capacidade de impacto da corrente de curto-circuito do CRSZ014N08N5Z melhorou significativamente em comparação com o produto da geração anterior, dando ao BMS uma vantagem proeminente no tratamento de situações extremas.

△ Características SOA medidas da 5ª geração CRSZ014N08N5Z

△ Resultados de medição das características SOA da geração anterior CRSZ014N08N4Z

△ Os dados característicos SOA medidos de CRSZ014N08N5Z em comparação com os da geração anterior CRSZ014N08N4Z

Capacidade UIS: Os dados de medição reais da capacidade UIS para CRSZ014N08N5Z em comparação com a geração anterior CRSZ014N08N4Z são os seguintes:

△ Forma de onda UI medida da 5ª geração CRSZ014N08N5Z

△ A forma de onda UI medida real da geração anterior CRSZ014N08N4Z

Com base na otimização significativa do Rsp, o PIBG melhorou significativamente o SOA e o UIS do MOSFET SGT de quinta geração por meio de design de produto inovador e otimização estrutural. Isto permite não apenas oferecer maior confiabilidade em aplicações BMS, mas também obter melhor controle de custos, fornecendo assim aos clientes uma solução altamente competitiva e econômica.

Teste de aplicação: Durante o teste real da placa de proteção BMS 120A de uma bateria ternária de lítio de 17 células, descobriu-se que o produto é capaz de atender aos requisitos de aplicação sob condições extremas.

2.2. Destaques técnicos

Processo avançado de largura de linha ultrapequena de baixa tensão de 12 polegadas;
Super Robustez SOA;
O valor Rsp atingiu o nível líder do setor.

3. Aplicação do produto

O produto SGT MOS CRSZ014N08N5Z de 5ª geração do PIBG pode ser amplamente aplicado em vários campos de aplicação de BMS, como armazenamento doméstico e sistemas de armazenamento fora da rede, bem como sistemas de bateria de veículos de duas e três rodas, etc.

4. Nova lista de produtos