Módulo único SiC de 1500 V, facilitando a implementação eficiente de carregamento rápido 2.0 de nível de megawatt
2026,05,15
Carregamento lento, ansiedade quanto à autonomia da bateria, sobreaquecimento do veículo durante o carregamento e riscos de segurança em cenários de alta tensão... Estes problemas de longa data que atormentam os proprietários de veículos elétricos foram agora todos resolvidos com soluções abrangentes! Com a plataforma de alta tensão de 1000 V se tornando a tendência dominante na indústria de veículos elétricos, a tecnologia Mwahua Flash Charging 2.0 elevou a eficiência de carregamento a um novo nível. A tensão suportável, a perda e a confiabilidade dos dispositivos de energia tornaram-se as principais barreiras que determinam a velocidade de carregamento e a segurança do veículo.
Em resposta aos problemas da indústria, a BYD Semiconductor tem estado profundamente envolvida na pesquisa e desenvolvimento da tecnologia de carboneto de silício. Ela desenvolveu de forma independente o tubo único TO-247-4 1500V SiC. Este produto está equipado com seu próprio chip SiC de alto desempenho, abordando fundamentalmente as deficiências dos componentes tradicionais e alcançando indicadores técnicos líderes do setor. Tornou-se o principal motor do carregamento rápido de megawatts 2.0, eliminando completamente os teimosos problemas de carregamento dos novos veículos de energia e abrindo um novo capítulo no carregamento rápido de alta tensão.
Graças aos chips SiC desenvolvidos pela BYD, este tubo único apresenta uma resistência de área unitária extremamente baixa de 20 mΩ, o que pode reduzir significativamente a perda de energia durante o processo de carregamento, diminuir a geração de calor do dispositivo e tornar o processo de carregamento mais eficiente e estável. Ao mesmo tempo, possui uma frequência de comutação mais alta, que pode atender aos requisitos de carregamento de alta velocidade do carregamento rápido de megawatts 2.0, reduzindo significativamente o tempo de carregamento e permitindo que os proprietários de automóveis digam adeus aos longos tempos de espera.
No sistema de carregamento rápido MW, o transistor único SiC de 1500V é responsável pela conversão de energia do núcleo: - Conecte a entrada 380V
- Conversão frontal para tensão de corrente contínua
- E então, ele é aumentado de forma eficiente para uma alta tensão de 1000 V para carregamento direto da bateria
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O que é particularmente digno de nota é que a tensão de ruptura (BV) deste tubo único de carboneto de silício é 10% superior à de produtos similares no mercado. Seu desempenho de tensão suportável extremamente forte cria uma linha de defesa segura para cenários de carregamento de alta tensão. Mesmo em ambientes de trabalho de potência extremamente alta, pode manter uma operação estável e eliminar os riscos de segurança causados por falhas de componentes, fornecendo proteção abrangente para a segurança de carregamento e confiabilidade do circuito de todo o veículo. No circuito central do carregamento rápido de megawatts 2.0, contando com o chip SiC autodesenvolvido e a embalagem TO-247-4 otimizada, este tubo único ainda mantém baixa perda, baixa geração de calor e alta estabilidade sob condições de alta frequência, alta tensão e alta corrente. Ele permite que cada grau de eletricidade seja transmitido da rede elétrica para a bateria com a mais alta eficiência, fornecendo uma solução perfeita que combina eficiência e confiabilidade para cenários de carregamento rápido de alta tensão.
Do avanço tecnológico à implementação industrial, o lançamento deste tubo único de carboneto de silício não apenas demonstra as fortes capacidades de P&D da nossa empresa, mas também leva a tecnologia de carregamento rápido de alta tensão para veículos de novas energias a um novo nível. Além dos produtos de alta tensão especialmente projetados para carregamento rápido em nível de megawatt, a BYD Semiconductor também oferece uma série de produtos de tubo único adequados para vários campos, como veículos de energia nova, carregamento de armazenamento eólico, indústria e eletrodomésticos. Esses tubos únicos abrangem vários tipos, como IGBT, MOSFET, SiC MOSFET, FRD e TVS, para atender às necessidades de diferentes cenários de aplicação. Ao mesmo tempo, também fornece diversas formas de embalagem, como módulo meia ponte SOP-9, QDPAK, TO-263-7L, TO-247Plus-4L, TO-247Plus-3L, TO-247-3L, TO-247-4L, TO-220-3L e TO-220F-3L, para atender a vários requisitos de design e fabricação.
Evolução da indústria, a tecnologia lidera o caminho. No futuro, a BYD Semiconductor continuará a se concentrar profundamente no campo de dispositivos de energia, rompendo constantemente as fronteiras tecnológicas, fornecendo um impulso central contínuo para a ampla popularização do carregamento rápido 2.0 de megawatts e o desenvolvimento de alta qualidade da nova indústria de veículos de energia, e ajudando todas as pessoas a desfrutar de um novo estilo de vida de viagem ecológico que seja eficiente, seguro e conveniente!
