Introdução de produto do IGBT Ncepower Gen.8 Série 1200V/140A

2026,07,21

A última série IGBT de 8ª geração (Gen.8 IGBT) lançada pela Xinjieneng alcançou o melhor equilíbrio entre queda de tensão de saturação (VCE (sat)) e perdas de comutação (Eon, Eoff). Esta série adota uma arquitetura de porta de microvala de ultra-alta densidade, aumentando significativamente a densidade estrutural do dispositivo e reduzindo efetivamente as perdas de condução. Ao mesmo tempo, através da inovação no design da zona de desvio do dispositivo e da camada de buffer, foi alcançada a dupla otimização da perda de comutação e do estresse de desligamento, que pode levar em consideração a eficiência do sistema e a margem de aplicação em aplicações práticas.

Este artigo toma como exemplo um produto típico da série Gen.8 - NCE140GD120VTP4 para apresentar os principais recursos desta série. Este dispositivo tem uma tensão nominal de 1200 V e uma corrente nominal de 140 A a 100° C. Ele é embalado no pacote TO-247Plus-4L e é adequado para novas energias verdes e cenários de aplicação de alta eficiência, como inversores fotovoltaicos, armazenamento de energia, UPS e pilhas de carregamento.

A tabela a seguir mostra a comparação dos parâmetros medidos deste produto com os melhores concorrentes da mesma especificação na indústria nas mesmas condições e no mesmo equipamento:

Vantagens do produto

●O V(BR)CES em toda a faixa de temperatura de -40°C a 175°C é maior que a tensão suportável nominal

● Teste de desligamento 100% Icpuls

Pode passar na avaliação HV-H3TRB mais rigorosa

● Menor perda de condução e excelente perda de comutação

● VCEpeak de desligamento extremamente baixo

Campo de aplicação

● Inversor fotovoltaico

●Armazenamento de energia

● UPS

Os IGBTs da série Ncepower Gen.8 continuarão a apresentar mais especificações e modelos, cobrindo seis plataformas de tensão: 650V, 750V, 1000V, 1200V, 1400V e 1700V. Para atender às demandas diferenciadas de vários campos de aplicação, também são fornecidas múltiplas subséries para seleção sob as mesmas especificações de corrente/tensão. Por exemplo, a série S (modelo NCE140GS120VTP4) com a mesma especificação de corrente/tensão do NCE140GD120VTP4 foi projetada especificamente para aplicações como armazenamento de energia que possuem altos requisitos para capacidade de surto de diodo, aumentando ainda mais a tolerância a surtos do diodo de roda livre.

O lançamento deste produto não é apenas uma atualização dos parâmetros de um único modelo, mas também marca que a tecnologia Gen.8 IGBT de Xinjieneng entrou no estágio maduro de produção em massa e seu desempenho pode competir diretamente ou até mesmo superar os melhores concorrentes internacionais.

Regras de nomenclatura