Destaques de artesanato
Tecnologia de expansão Platinum, melhorando significativamente o desempenho dinâmico: O processo de expansão Platinum controla com precisão a vida útil da portadora minoritária e otimiza as características de comutação interna do dispositivo.
Reduza a carga de recuperação reversa (Qrr): O valor típico é de apenas 722nC, reduzindo a perda de recuperação reversa do diodo.
Reduza o tempo de recuperação reversa (trr): normalmente 128,6 ns, aumentando o potencial de frequência de comutação do sistema.
Suavização do pico de corrente de recuperação reversa (Irm=9,05A): Melhora o desempenho EMI e reduz a pressão no design do filtro periférico.
Desempenho elétrico central
Resistência ultrabaixa: RDS(on) típico tão baixo quanto 31 mΩ (máx. 37 mΩ), reduzindo significativamente as perdas de condução.
Carga de porta extremamente baixa: Qg típico de 116,8 nC permite comutação rápida e reduz perdas no inversor.
Capacidade de alta corrente: Corrente de drenagem contínua até 80 A (Tc = 25°C), corrente de pulso até 240 A.
100% testado pelo UIS: A energia de avalanche de pulso único de 951 mJ garante robustez sob condições operacionais adversas.
Comparação de medição real
Através da medição real e comparação de formas de onda de comutação sob as mesmas condições de trabalho, descobriu-se que o MOSFET de superjunção da Longten Semiconductor tem uma velocidade de ativação mais rápida, trilha de corrente mais curta durante o desligamento, picos e oscilações VDS menores, uma plataforma Miller mais plana e perdas de ativação/desativação significativamente mais baixas do que os principais concorrentes da indústria. Isso pode efetivamente reduzir o consumo geral de calor da máquina, melhorar a eficiência de conversão de fontes de alimentação de alta frequência e a confiabilidade operacional.
Ao comparar as formas de onda do diodo nas mesmas condições de trabalho, pode-se observar que o MOSFET de superjunção da Longten Semiconductor, devido à adoção da tecnologia avançada de expansão de platina, tem um desempenho excepcionalmente bom no processo de recuperação reversa, com um tempo de recuperação reversa mais curto e um processo de recuperação reversa mais suave. Esse recurso reduz efetivamente as perdas de comutação e a interferência EMI e melhora a estabilidade do sistema e o desempenho de dissipação de calor sob condições operacionais de alta frequência.
Cenários típicos de aplicação
Fonte de energia de formação
OBC (carregador integrado)
Fonte de alimentação de comunicação
Pilha de carregamento
Fonte de alimentação industrial de alta potência
Fonte de alimentação para máquinas de mineração
