— Margem nominal de tensão acima de 800 V, com maior capacidade de avalanche e tensão de ruptura do que GaN, atendendo aos requisitos para aplicações de 650 V/750 V.
— Suporta comutação de tensão zero, simplificando os circuitos de acionamento para reduzir custos e tamanho, ao mesmo tempo em que evita ativações falsas e aumenta a confiabilidade do sistema. O produto é compatível com o modo tradicional de desligamento por tensão negativa, permitindo a substituição perfeita de dispositivos baseados em silício e adaptando-se a diversas topologias de circuito.
— Excelentes características de comutação com parâmetros dinâmicos significativamente otimizados, ajudando os sistemas a alcançar maior eficiência e densidade de potência.
— Estabilidade e confiabilidade superiores em altas temperaturas; o produto mantém desempenho estável sob temperaturas elevadas. Testada em nosso laboratório credenciado pelo CNAS, toda a nova série de produtos passou pela validação de confiabilidade de 1.000 horas, garantindo durabilidade de longo prazo em aplicações exigentes.
Vantagens do produto
Otimize parâmetros dinâmicos como Qg e Ciss, que são fáceis de controlar e apresentam baixas perdas de comutação. O aprimoramento das características do diodo corporal e um tempo de recuperação reversa extremamente curto reduzem ainda mais as perdas de comutação e melhoram a eficiência geral da máquina.
Reconhecimento do mercado e confiança do cliente
Os produtos de carboneto de silício da Maplesemi têm sido aplicados de forma estável nas principais empresas nacionais de fornecimento de energia e nas principais empresas globais de veículos de energia nova. De janeiro a outubro de 2025, as vendas de dispositivos de carboneto de silício da Meipusen alcançaram um crescimento anual de 49%, refletindo o reconhecimento do mercado pelo desempenho e confiabilidade de nossos produtos. 04
Recomendação de novo produto para desligamento por tensão zero
Testes típicos de eficiência de aplicação e aumento de temperatura
Sob diferentes tensões de entrada, a eficiência do SICMOS é aproximadamente 0,5% a 1% maior que a do SJMOS. Nas condições de tensão de entrada de AC180V e 264V, o desempenho de temperatura do MSF180075MF é melhor. 3. Recomenda-se dirigir de 15 a 18V, sendo 18V ainda melhor.

Observação
Os testes neste artigo são baseados em uma fonte de alimentação flyback de 100W + SR síncrono secundário DEMO
2. A entrada DEMO é de 180 a 264 V e a saída é 24V3.8A. A carga é 24V3.8A conforme necessário e o teste CC = 3,8A
3. Tensão de acionamento VGS: 16V. 4. Parâmetros de amostra de comparação: MSF180075MF: 750V165mΩ
Concorrente A: 650V130mΩ Concorrente B:650V160mΩ; SJMOS: 650 v150mΩ