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A plataforma SiC MOS de quarta geração Os módulos ValueDual produzidos em massa adotam os chips 1200V 13mΩ da plataforma SiC MOS de quarta geração desenvolvida independentemente pela PDBG. Esta plataforma, embora mantenha as excelentes características de porta da plataforma de segunda geração, otimizou ainda mais parâmetros-chave, como RSP, capacitância de junção e corrente de fuga por meio de inovações de design e processo, melhorando significativamente a densidade de potência e a eficiência operacional. Ela fornece uma série de produtos altamente eficientes em termos energéticos para áreas de aplicação de alta densidade de potência e alta integração, como carregadores integrados (OBC), unidades principais e transmissão de corrente contínua de alta tensão (HVDC). A PDBG concluiu rapidamente a serialização da série de produtos SiC MOS de quarta geração, desenvolvendo duas plataformas de tensão de 650V e 1200V e lançando mais de dez especificações padrão de produtos. Ao mesmo tempo, ele é equipado com embalagens maduras de plug-in e montagem em superfície da empresa, incluindo QDPAK e TOLT, embalagens de dissipação de calor de placa superior na superfície. O desempenho abrangente dos produtos é excelente e eles foram apresentados com sucesso aos principais clientes nas áreas de OBC, pilhas de carregamento, inversores, etc., e alcançaram fornecimento em massa, fornecendo suporte de componentes domésticos eficiente e confiável para atualização industrial. |


November 06, 2025
October 29, 2025
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