A Mitsubishi Electric Corporation anunciou em 4 de junho de 2026 que começará a fornecer amostras de dois novos chips simples SiC MOSFET de 5ª geração a partir do final de junho do mesmo ano. Este chip é adequado para inversores motorizados e eAxles¹ (eixos elétricos) em veículos elétricos (EVs), veículos elétricos híbridos plug-in (PHEVs) e outros veículos eletrificados (XEVs). O chip SiC MOSFET de 5ª geração adota a estrutura de trincheira exclusiva da Mitsubishi Electric ², alcançando um nível líder do setor ³ de baixa resistência ⁴, que é aproximadamente 25% menor do que o dos produtos existentes ⁵.
Este chip será exibido na PCIM Expo & Conference 2026, realizada em Nuremberg, Alemanha (9 a 11 de junho de 2026), bem como em exposições relacionadas no Japão, China e outros lugares.
O chip simples SiC MOSFET de 5ª geração da Mitsubishi Electric ajudará a melhorar o desempenho do inversor xEV e dos eAxles1 e a alcançar a miniaturização do produto, ampliando assim o alcance de condução do xEV e melhorando a eficiência do trabalho. Além disso, a tecnologia de processo de fabrico exclusiva da Mitsubishi Electric pode suprimir eficazmente o declínio do desempenho dos chips durante o funcionamento a longo prazo.
Recursos do produto
A nova estrutura da vala reduz a resistência dos MOSFETs SiC, melhorando efetivamente o alcance de condução xEV e a eficiência operacional
- A estrutura exclusiva de contato de fonte plana (FSC), a nova estrutura de grade de valas e a tradicional tecnologia de implantação iônica oblíqua aumentaram a densidade celular e promoveram o fluxo de corrente, alcançando assim um nível de baixa resistência líder do setor.
- A sua resistência é aproximadamente 25% inferior à dos MOSFETs SiC de trincheira existentes da Mitsubishi Electric, o que ajuda a melhorar o desempenho do inversor xEV e a alcançar a sua miniaturização, alargando assim a autonomia de condução do xEV e melhorando a sua eficiência de funcionamento.
A nova tecnologia de fabricação SiC MOSFET de porta ranhurada mantém o desempenho xEV por um longo tempo
- A tecnologia de processo de fabrico exclusiva da Mitsubishi Electric pode suprimir a degradação do desempenho causada pela recuperação inversa dos díodos do corpo, ajudando assim a estabilizar a qualidade do dispositivo.
- O novíssimo SiC MOSFET de trincheira pode suprimir a perda de energia e a flutuação de resistência gerada durante o processo de comutação. Isto é atribuído à tecnologia proprietária da Mitsubishi Electric acumulada ao longo de mais de 20 anos na investigação, desenvolvimento e fabrico de MOSFETs 8SiC de porta planar/trincheira e SiC SBD9, incluindo o seu controlo de processo exclusivo de SiC e métodos distintos de fabrico de película de óxido de porta.
- A qualidade estável do dispositivo contribuirá para a durabilidade do inversor xEV e dos eAxles1, garantindo assim o desempenho a longo prazo do xEV.
Fundo
Desde que a Mitsubishi Electric lançou módulos semicondutores de potência SiC que reduzem significativamente a perda de energia em 2010, estes produtos têm sido amplamente utilizados em sistemas inversores de aparelhos de ar condicionado, equipamentos industriais e veículos ferroviários, contribuindo para a redução do consumo de energia em eletrodomésticos, equipamentos industriais e veículos ferroviários.
No futuro, a Mitsubishi Electric planeia expandir o seu fornecimento de chips simples MOSFET SiC de alta qualidade e baixas perdas para xEV e outros dispositivos eletrónicos de potência economizadores de energia para apoiar a transição ecológica.
