MOSFET tipo trincheira de nível N30V 1mΩ

2025,10,09

A plataforma de processo tipo trincheira da equipe de P&D da NCE lançou uma série de produtos MOSFET de canal N aprimorados com tensão nominal de 30V e resistência de 1mΩ.

Superioridade do produto

Ao adotar densidade celular ultra-alta e design de largura de linha pequena, usando a plataforma de processo tipo trincheira exclusiva da NCE, combinada com o processo otimizado de embalagem de produtos de grande corrente, tomando NCE011N30GU como exemplo, a resistência de condução típica é tão baixa quanto 0,75mR, e o ID de corrente contínua pode atingir até 325A. O excelente desempenho dos parâmetros demonstra a força técnica dos processos de design e embalagem de cavacos do tipo trincheira. Esta série de produtos tem densidade de corrente ultra-alta, resistência à quebra de avalanches ultra-alta e desempenho de alta confiabilidade. Os dispositivos passam 100% em testes de avalanche e possuem robustez superior. O desempenho do produto é excelente, fornecendo soluções de produtos econômicas e eficientes para o mercado.

Característica do produto

○ Densidade de corrente de alta potência

○ Resistência ultrabaixa

○ Alto desempenho de dissipação de calor

○ Alta confiabilidade

* Potência MOSFET

*Dispositivo semicondutor

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Autor:

Mr. qinweidz

E-mail:

carolyne@gisiancorp.com