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Model No:NCE30TD60B
Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Descrição geral Empregando a arquitetura proprietária da NCE e a tecnologia avançada de parada de campo de segunda geração (FS II), a Trench II II II de 600V fornece um desempenho excepcional...
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Model No:DXG20N65PS
Dispositivos discretos semicondutores - transistores IGBT Principais especificações Classificação 650V/20A com VCE típico (SAT) de 1,70V na corrente 20A Utiliza a tecnologia IGBT de parada de campo avançada Suporta o tempo de curto-circuito de...
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Model No:DXG60N65HSE
Dispositivos discretos semicondutores - transistores IGBT Características Classificado para 650V/60A com uma queda típica de tensão no estado de 2,3V na corrente de carga 60A. Incorpora o design do IGBT de parada de campo para desempenho...
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Model No:DXG60N65HSEU
Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Características 650V/60A com tensão de saturação típica (VCE (SAT)) de 2,3V a 60a Construída em campo de parada de campo Arquitetura para desempenho aprimorado Capaz de suportar condições...
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Model No:DXG120N65GS
Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Características ⚫ 650V 120A, V CE (SAT) (tip.) = 1,8V ⚫ Permite recursos de comutação de alta velocidade ⚫ Aumenta a eficiência geral do sistema ⚫ Formas de onda de desligamento de corrente...
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Model No:DXG40S120H
Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Características 1200V, 40A, V CE (SAT) (TIP. =) 1.9V@V GE = 15V Eficiência de sistema mais alta Formas de onda de desligamento de corrente suave Square RBSOA Visão geral Esses IGBTs...
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Model No:DXG15S120H
Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Características 1200V15A, V CE (SAT) (TIP.) = 1,9 V@15A Tecnologia SPT ( Soft Punch através) Perdas mais baixas Eficiência mais alta do sistema Excelente capacidade de curto-circuito...
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Model No:DXG25N120H
Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Características 1200V, 25A, V CE (SAT) (TIP.) = 2,3 V@V GE = 15V Comutação de alta velocidade Eficiência de sistema mais alta Formas de onda de desligamento de corrente suave Square...
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Model No:DXG15N120H
Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Características Classificação 1200V/15A Classificação : apresenta uma tensão de saturação típica (VCE (SAT)) de 2,3V a 15A Eficiência otimizada do sistema : oferece melhor desempenho de...
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Model No:NCE15TD60BD
Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT 600V 15A Trench FS II IGBT FAST NCE15TD60BD Descrição geral Aproveitando a arquitetura proprietária da NCE e a tecnologia de parada de campo de segunda geração (FS), a trincheira FSII IGBT de...
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Model No:NCE30TH60BPN
Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Descrição geral: Projetado com a tecnologia de arquitetura de parada de campo (TFS) (TFS) da NCE e a tecnologia de parada de campo de segunda geração (FS II). Principais recursos ⚫ Oferta de...
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Model No:NCE15TD60BF
Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Descrição geral Aproveitando a arquitetura patenteada da NCE e a tecnologia de parada de campo (FS II) da próxima geração, a Trench II II de 600V FS IGBT oferece desempenho otimizado de...
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Model No:NCE25TD120BT
Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT 1200V 25A Trench FS II IGBT FAST NCE25TD120BT Descrição geral: Usando o design proprietário da NCE e a Tecnologia Avançada de Segunda Gerenciamento FS (Stop Field Stop), a trincheira FSII IGBT...
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Model No:NCE40ER65BP
Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Descrição geral Aproveitando a arquitetura de campo de Trench Stop III (TFS III) da NCE e a tecnologia avançada de parada de campo, a Trench III III de 650V fornece a melhor eficiência da...
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Model No:DXG20N65FS
650V IGBT Single Tube para controle industrial Características 650V 20A, V CE (SAT) (TIP.) = 1,70 V@20A Technology Stop Field Stop IGBT. Capacidade de curto -circuito de 10μs . Square RBSOA. VCE positivo (ON) Coeficiente de temperatura....
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Model No:DXG30N65HSEK
650V 30A, TO-247 Pacote IGBT Tubo único Características 650V 30A, VCE (SAT) (tip.) =1.7v@30a Technology Stop Field Stop IGBT. Capacidade de curto -circuito de 10μs . Square RBSOA. VCE positivo (ON) Coeficiente de temperatura. Benefícios Alta...
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Model No:DXG40N65HSEK
650V 40A IGBT TUBO único DXG40N65HSEK Características 650V 40A, V CE (SAT) (TIP.) = 1,70 V@40A Technology Stop Field Stop IGBT. Capacidade de curto -circuito de 10μs . Square RBSOA. VCE positivo (ON) Coeficiente de temperatura. Benefícios ...
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Model No:DXG40N65ASWU
Tubo único IGBT (ou IGBT discreto ): um único chip IGBT embalado em um alojamento isolado. 650V/40A IGBT DXG40N65ASWU Características 650V 40A, VCE (SAT) (TIP.) = 2,3 V@40A Technology Stop Field Stop IGBT. Capacidade de curto -circuito de 10μs . ...
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