Modelo: DXG60N65HSE
Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro
Materiais De Referência: Ficha de dados, foto
Vceds: 650V
IC (TC = 25 ℃): 120a
IC (TC = 100 ℃): 60a
ICM: 240a
If (tc = 100 ℃): 60a
Ifm: 240a
VCE(sat)(typ.): 2.3V@60A
TJ: -55 to +150℃
Pakage: To-247
Dispositivos discretos semicondutores - transistores IGBT
Características
Classificado para 650V/60A com uma queda típica de tensão no estado de 2,3V na corrente de carga 60A.
Incorpora o design do IGBT de parada de campo para desempenho superior.
Fornece capacidade de resistência ao curto-circuito de 10 microssegundos.
Apresenta uma área de operação segura de polarização reversa bem definida.
VCE positivo (ON) Coeficiente de temperatura.
Benefícios
Alta eficiência para soldagem, aquecimento indutivo, UPS e outro aplicativo de alta frequência
Desempenho robusto
Excelente compartilhamento atual em operação paralela
*Tubo único IGBT (ou IGBT discreto)
Um dispositivo semicondutor de energia que empacota um único chip IGBT (geralmente com um diodo de roda livre) em um alojamento isolado.
Características -chave:
- Contém apenas uma unidade IGBT sem drivers internos;
- Pacotes padronizados (por exemplo, TO-247, TO-220) para flexibilidade do projeto.