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DXG60N65HSE 650V Transistores IGBT
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Quantidade de pedido mínimo:1

Descrição do produto
Atributos do produto

ModeloDXG60N65HSE

Tipo De FornecimentoFabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro

Materiais De ReferênciaFicha de dados, foto

Vceds650V

IC (TC = 25 ℃)120a

IC (TC = 100 ℃)60a

ICM240a

If (tc = 100 ℃)60a

Ifm240a

VCE(sat)(typ.)2.3V@60A

TJ-55 to +150℃

PakageTo-247

Embalagem & Entrega
DXG60N65HSE 650V Transistores IGBT
Dispositivos discretos semicondutores - transistores IGBT
Características
Classificado para 650V/60A com uma queda típica de tensão no estado de 2,3V na corrente de carga 60A.
Incorpora o design do IGBT de parada de campo para desempenho superior.
Fornece capacidade de resistência ao curto-circuito de 10 microssegundos.
Apresenta uma área de operação segura de polarização reversa bem definida.
VCE positivo (ON) Coeficiente de temperatura.
Benefícios
Alta eficiência para soldagem, aquecimento indutivo, UPS e outro aplicativo de alta frequência
Desempenho robusto
Excelente compartilhamento atual em operação paralela
IGBT TO-247 Package
*Tubo único IGBT (ou IGBT discreto)
Um dispositivo semicondutor de energia que empacota um único chip IGBT (geralmente com um diodo de roda livre) em um alojamento isolado.

Características -chave:

  • Contém apenas uma unidade IGBT sem drivers internos;
  • Requer drivers de portão externos, dissipadores de calor e circuitos de proteção;

  • Pacotes padronizados (por exemplo, TO-247, TO-220) para flexibilidade do projeto.
Produtos quentes
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