650V 120A IGBT Transistor DXG120N65GS

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Modelo: DXG120N65GS

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro

Materiais De Referência: Ficha de dados, foto

Vceds: 650V

IC(TC=25 ℃): 180A

IC(TC=100 ℃): 120A

ICM: 360A

IF(TC=100 ℃): 120A

IFM: 480A

VCE (SAT) (tip.): 1.8V

Package: TO-247 Plus

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650V 120A IGBT Transistor DXG120N65GS

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Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT

Características

⚫ 650V 120A, V CE (SAT) (tip.) = 1,8V

⚫ Permite recursos de comutação de alta velocidade

⚫ Aumenta a eficiência geral do sistema

⚫ Formas de onda de desligamento de corrente suave

⚫ quadrado rbsoa

Descrição geral

Os IGBTs oferecem perdas de energia mais baixas e maior eficiência energética para aplicações, incluindo acionamentos de motor, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), inversores e outros sistemas de comutação suave.

* Tubo único IGBT (ou IGBT discreto)
Um dispositivo semicondutor de energia que empacota um único chip IGBT (geralmente com um diodo de roda livre) em um alojamento isolado. Características -chave: contém apenas uma unidade IGBT sem drivers internos; Requer drivers de portão externos, dissipadores de calor e circuitos de proteção; Pacotes padronizados (por exemplo, TO-247, TO-220) para flexibilidade do projeto. Amplamente utilizado em sistemas de energia de baixo a médio porte, como controle industrial e eletrônicos de consumo, etc.