650V/60A com tensão de saturação típica (VCE (SAT)) de 2,3V a 60a
Construída em campo de parada de campo Arquitetura para desempenho aprimorado
Capaz de suportar condições de curto-circuito por até 10μs
Área de operação segura de viés reversa quadrada (RBSOA) garante a confiabilidade
Coeficiente de temperatura positivo no VCE (ON) para melhorar a térmica
Benefícios
Alta eficiência para soldagem, aquecimento indutivo, UPS e outro aplicativo de alta frequência
Desempenho robusto
Excelente compartilhamento atual em operação paralela
*Um IGBT discreto (tubo único de transistor bipolar isolado) é um dispositivo de comutação de semicondutores embalados separadamente, pertence à categoria de componentes eletrônicos. Ele integra uma estrutura IGBT (normalmente com um diodo de roda livre anti-paralelo) em um único chip, alojado em um pacote discreto padrão (por exemplo, TO-247, TO-220) com três terminais (portão, colecionador, emissor). Sua função principal é atuar como um interruptor eletrônico de alta tensão, alta corrente e alta velocidade , controlado pela tensão da porta.
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