650V 20A IGBT Transistor DXG20N65PS

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Modelo: DXG20N65PS

Tipo De Fornecimento: ODM, Fabricante original, Agência, Varejista, outro

Materiais De Referência: Ficha de dados, foto

Vceds: 650V

IC(TC=25℃): 40A

IC (TC = 100 ℃): 20a

ICM: 80a

If (tc = 100 ℃): 20a

Ifm: 80a

VCE(sat)(typ.) = 1.70 V@20A: 1.70V@20A

TJ: -55 a +150 ℃

Pakeage: TO-220

Embalagem & Entrega

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650V 20A IGBT Transistor DXG20N65PS

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Dispositivos discretos semicondutores - transistores IGBT

Principais especificações

Classificação 650V/20A com VCE típico (SAT) de 1,70V na corrente 20A

 Utiliza a tecnologia IGBT de parada de campo avançada

 Suporta o tempo de curto-circuito de 10 microssegundos

 Apresenta uma área de operação segura de viés reversa quadrada (RBSOA)

 VCE positivo (ON) Coeficiente de temperatura.

Vantagens

 Alta eficiência para controle motor.

 Desempenho robusto.

 Excelente compartilhamento atual em operação paralela

*Um tubo único IGBT discreto (tubo único de transistor bipolar de portão isolado) é um dispositivo de comutação de semicondutores embalados separadamente, pertence à categoria de componentes eletrônicos. Ele integra uma estrutura IGBT (normalmente com um diodo de roda livre anti-paralelo) em um único chip, alojado em um pacote discreto padrão (por exemplo, TO-247, TO-220) com três terminais (portão, colecionador, emissor). Sua função principal é atuar como um interruptor eletrônico de alta tensão, alta corrente e alta velocidade , controlado pela tensão da porta.