Modelo: DXG15N120H
Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro
Materiais De Referência: Ficha de dados, foto
Vceds: 1200V
IC(TC=25 ℃): 30A
IC(TC=100 ℃): 15A
ICM: 60A
IF(TC=100 ℃): 15A
Ifm: 60a
VCE(sat): 2.3V
TJ: -55 to +150℃
Package: TO-247
Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT
Características
Classificação 1200V/15A Classificação : apresenta uma tensão de saturação típica (VCE (SAT)) de 2,3V a 15A
Eficiência otimizada do sistema : oferece melhor desempenho de conversão de energia
Capacidade de comutação suave : emprega formas de onda de desligamento de corrente controlada
Descrição geral
IGBT OFFFER PERDES MAIS RESPONSÁRIAS E MAPAIS ENCRIMENTO PARA APLICAÇÃO, como acionamento de motor, UPS, inversor e outras aplicações de comutação suave.
*Um IGBT discreto (tubo único de transistor bipolar isolado) é um dispositivo de comutação de semicondutores embalados separadamente, pertence à categoria de componentes eletrônicos. Ele integra uma estrutura IGBT (normalmente com um diodo de roda livre anti-paralelo) em um único chip, alojado em um pacote discreto padrão (por exemplo, TO-247, TO-220) com três terminais (portão, colecionador, emissor). Sua função principal é atuar como um interruptor eletrônico de alta tensão, alta corrente e alta velocidade , controlado pela tensão da porta.