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650V 10A transistores de potência de canal N LND10N65

650V, 10A N-Channel Power MOSFET Descrição​ O Poder MOSFET é fabricado usando o avançado planar Vdmos tecnologia . O dispositivo resultante tem baixa condução resistência , troca superior desempenho e alto avalanche energia . Características ⚫ baixo...

N-Channel 650V 11A Power MOSFET LSD65R380GT

Descrição O MOSFET LONFET TM POWER é fabricado usando a tecnologia avançada de super junção . O dispositivo resultante tem uma resistência extremamente baixa, tornando -o especialmente adequado para aplicações que requerem densidade de energia...

BIP60015G-A 600V 15A Módulo de energia inteligente

Descrição geral O BIP60015G-A é um módulo de potência inteligente avançado que possui recentemente desenvolvido e projetado, para fornecer um desempenho muito compacto e de alto desempenho, pois os motoristas de motor CA direcionam principalmente...

MOSFET LSD65R180GF

Descrição Este Power MOSFET emprega tecnologia avançada de super junção em sua construção. O dispositivo projetado oferece uma mínima resistência, tornando-o ideal para aplicações que exigem densidade de energia superior e eficiência excepcional....

650V 40A IGBT Transistor DXG40N65HSEK

650V 40A IGBT TUBO único DXG40N65HSEK Características  650V 40A, V CE (SAT) (TIP.) = 1,70 V@40A Technology Stop Field Stop IGBT. Capacidade de curto -circuito de 10μs .  Square RBSOA.  VCE positivo (ON) Coeficiente de temperatura. Benefícios ...

Diodos epitaxiais de recuperação rápida de alto desempenho HUR30120

Diodos de recuperação rápida HUR30120 - Comportamento de recuperação suave de alta faixa de temperatura de alta temperatura Diodos epitaxiais de recuperação ultra rápida CARACTERÍSTICAS * Compatiante com padrões internacionais de embalagem *...

IGBT eficiente para aplicações da UPS DXG40N65ASWU

Tubo único IGBT (ou IGBT discreto ): um único chip IGBT embalado em um alojamento isolado. 650V/40A IGBT DXG40N65ASWU Características  650V 40A, VCE (SAT) (TIP.) = 2,3 V@40A Technology Stop Field Stop IGBT. Capacidade de curto -circuito de 10μs . ...

MOSFET LSB65R070GF LSB65R070GF

Descrição O MOSFET LONFET TM POWER é fabricado usando a tecnologia avançada de super junção . O dispositivo resultante tem uma resistência extremamente baixa, tornando -o especialmente adequado para aplicações que requerem densidade de energia...

N-canal de alto desempenho 650V 20A Power MOSFET LSD65R180GT

Descrição O Power MOSFET é fabricado usando a Tecnologia Avançada de Super Junction . O dispositivo resultante tem uma resistência extremamente baixa, tornando -o especialmente adequado para aplicações que requerem densidade de energia superior e...

450V 220UF Capacitores eletrolíticos de alumínio

Capacitores eletrolíticos de alumínio É um capacitor eletrolítico polarizado cujo ânodo (+) consiste em uma folha de alumínio gravada com uma camada de Al₂o₃ anodizada como dielétrica. O cátodo (-) é formado por um eletrólito condutor...

150W Minl Super Energy Storage Power Supply

O inversor de baixa potência portátil 150W é uma solução compacta e eficiente para converter a corrente direta em corrente alternada, tornando -o ideal para várias necessidades de energia portátil. Este inversor de energia portátil 150W foi...

600V 30A Diodo epitaxial de recuperação rápida Hur3060

Diodos de recuperação rápida CARACTERÍSTICAS * Pacote padrão internacional * Chips passivados de vidro * Tempo de recuperação muito curto * Perdas de comutação extremamente baixas * Baixos valores de IRM * Comportamento de recuperação suave * ROHS...

Diodo de recuperação rápido de 600V Mur3060pt para produtos de limpeza ultrassônicos

Diodos de recuperação rápida CARACTERÍSTICAS * Pacote Standard International, JEDEC TO-247AD * Chips passivados de vidro * Tempo de recuperação muito curto * Perdas de comutação extremamente baixas * Baixos valores de IRM * Comportamento de...

MOSFET LNB20N65

Descrição O Power MOSFET é fabricado usando a tecnologia avançada do Planer VDMOS. O dispositivo resultante possui baixa resistência à condução, desempenho superior de comutação e alta energia de avalanche. Características  baixo r ds (on)  Carga...

MOSFET LSB65R041GF

Descrição O MOSFET LONFET TM POWER é fabricado usando a tecnologia avançada de super junção . O dispositivo resultante tem uma resistência extremamente baixa, tornando -o especialmente adequado para aplicações que requerem densidade de energia...