MOSFET LSD65R180GF

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Modelo: LSD65R180GF

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro

Materiais De Referência: Ficha de dados, foto

VDSS: 650V

ID: 20A

Rds (on), Máx: 0,18Ω

Ciss: 1871pF

Pacote De Dispositivo: TO-220F

Temperatura De Operação: -55 a +150 ° C.

Embalagem & Entrega

Descrição

Este Power MOSFET emprega tecnologia avançada de super junção em sua construção. O dispositivo projetado oferece uma mínima resistência, tornando-o ideal para aplicações que exigem densidade de energia superior e eficiência excepcional.

Características

 Ultra-Low R DS (ON)

 Carga reduzida do portão (Typ. QG = 40,2NC)

 Totalmente (comutação indutiva não classificada) testada

 Compatível com ROHS

Aplicações

 Correção do fator de potência (PFC).

 Modo de comutação Supplias de alimentação (SMPS).

 Fonte de alimentação ininterrupta (UPS).

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current 1) ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	20 12.6	A A
Pulsed drain current 2)	IDM	60	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 3)	EAS	608	mJ
Power Dissipation	PD	34	W
MOSFET dv/dt Ruggedness, VDS ≤480V	dv/dt	80	V/ns
Reverse Diode dv/dt, VDS ≤480V, ISD ≤ID	dv/dt	50	V/ns
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	20	A
Diode pulse current	IS,pulse	60	A