N-Channel 650V 11A Power MOSFET LSD65R380GT

Quantidade de pedido mínimo:1

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Atributos do produto

Modelo: LSD65R380GT

Tipo De Fornecimento: Agência, ODM, Fabricante original, Varejista, outro

Materiais De Referência: Ficha de dados

VDSS: 650V

ID: 11A

Rds (on) Máx: 0,38Ω

Pacote De Dispositivo: TO-220F

Ciss: 920pf

Temperatura De Operação: -55 a +150 ℃

Embalagem & Entrega

Descrição

O MOSFET LONFET TM POWER é fabricado usando a tecnologia avançada de super junção . O dispositivo resultante tem uma resistência extremamente baixa, tornando -o especialmente adequado para aplicações que requerem densidade de energia superior e excelente eficiência.

Características

⚫ RDS ULTRA BONDO (ON)

⚫ Ultra Low Gate Charge (Typ. QG = 21NC)

⚫ 100% de UIS testado

⚫ Compatiante de Rohs

Aplicações

⚫ Correção do fator de potência (PFC)

⚫ Modo de comutação Supplies de alimentação (SMPS)

⚫ Fonte de energia ininterrupta (UPS)

Absolute Maximum Ratings
Parameter		Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage		VDSS	650	V
Continuous drain current 1)	( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	11 7	A A
Pulsed drain current 2)		IDM	33	A
Gate-Source voltage		VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 3)		EAS	270	mJ
Power Dissipation		PD	30	W
Operating and Storage Temperature Range		TJ , TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current		IS	11	A
Diode pulse current		IS,pulse	33	A

Notas:

1. Limitado pela temperatura máxima da junção e ciclo de trabalho, equivalente a 220.

2. Limitado pela temperatura máxima da junção, o ciclo de trabalho máximo é de 0,75.

3. IAS = 3a, l = 60mh, vdd = 60v, iniciando tj = 25 ° C.