MOSFET LSB65R070GF LSB65R070GF

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Modelo: LSB65R070GF

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro

Materiais De Referência: foto, Ficha de dados

VDSS: 650V

ID: 49A

Ciss: 4970pf

Pacote De Dispositivo: To-247

Temperatura De Operação: -55 a +150 ° C.

Rds (on), Máx: 0,18Ω

Embalagem & Entrega

Descrição

O MOSFET LONFET TM POWER é fabricado usando a tecnologia avançada de super junção . O dispositivo resultante tem uma resistência extremamente baixa, tornando -o especialmente adequado para aplicações que requerem densidade de energia superior e excelente eficiência.

Características

⚫ Ultra baixo R DS (ON)

⚫ Ultra Low Gate Charge (Typ. Q G = 95NC)

⚫ 100% de UIS testado

⚫ Compatiante de Rohs

Aplicações

⚫ Correção do fator de potência (PFC).

⚫ Supplias de alimentação do modo comutado (SMPS).

⚫ Fonte de alimentação ininterrupta (UPS).

Pacote: to-247

Recursos do pacote TO-247: baixa resistência térmica, classificação de alta corrente , design mecânico robusto, compatível com inserção automática

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	49 31	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	147	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	872	mJ
Power Dissipation	PD	419	W
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	49	A
Diode pulse current	IS,pulse	147	A