MOSFET LNB20N65

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Atributos do produto

Modelo: LNB20N65

Tipo De Fornecimento: ODM, Fabricante original, Agência, Varejista, outro

Materiais De Referência: foto, Ficha de dados

VDSS: 650V

ID: 20A

Rds (on), Máx: 0,5Ω

Ciss: 2962pf

Pacote De Dispositivo: To-247

Temperatura De Operação: -55 a +150 ° C.

Embalagem & Entrega

Descrição

O Power MOSFET é fabricado usando a tecnologia avançada do Planer VDMOS. O dispositivo resultante possui baixa resistência à condução, desempenho superior de comutação e alta energia de avalanche.

Características

 baixo r ds (on)

 Carga baixa do portão (Typ. Q G = 58,3 NC)

 100% de UIS testado

 Compatível com ROHS

Aplicações

 Correção do fator de potência.

 Supplências de alimentação do modo comutado.

 Driver LED.

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	20 12.5	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	80	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	720	mJ
Peak diode recovery dv/dt 3)	dv/dt	5	V/ns
Power Dissipation TO-220F ( TC = 25°C ) Derate above 25°C	PD	45 0.36	W W/°C
Power Dissipation TO-247/TO-220 ( TC = 25°C ) Derate above 25°C	PD	250 2	W W/°C
Operating junction and storage temperature range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	20	A
Diode pulse current	IS,pulse	80	A