MOSFET LSB65R041GF

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Modelo: LSB65R041GF

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Varejista, outro, Agência

Materiais De Referência: foto, Ficha de dados

VDSS: 650V

ID: 78A

Rds (on), Máx: 41mΩ

Pacote De Dispositivo: To-247

Temperatura De Operação: -55 a +150 ° C.

Ciss: 7647pf

Embalagem & Entrega

Descrição

O MOSFET LONFET TM POWER é fabricado usando a tecnologia avançada de super junção . O dispositivo resultante tem uma resistência extremamente baixa, tornando -o especialmente adequado para aplicações que requerem densidade de energia superior e excelente eficiência.

Características

 Ultra baixo R DS (ON)

 Ultra Low Gate Charge (Typ. Q G = 169NC)

 100% de UIS testado

 Compatível com ROHS

Aplicações

 Correção do fator de potência (PFC).

 Supplências de alimentação do modo comutado (SMPS).

 Fonte de alimentação ininterrupta (UPS).

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	78 49.3	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	234	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	1626	mJ
Power Dissipation	PD	658	W
MOSFET dv/dt Ruggedness, VDS ≤480V	dv/dt	80	V/ns
Reverse Diode dv/dt, VDS ≤480V, ISD ≤ID	dv/dt	50	V/ns
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	78	A
Diode pulse current	IS,pulse	234	A