Casa> Lista de Produto> Dispositivos de disco semicondutores> Diodo de recuperação rápida> Qinwei 600V 8A Diodos de recuperação rápida MUR0860BF
Qinwei 600V 8A Diodos de recuperação rápida MUR0860BF
Qinwei 600V 8A Diodos de recuperação rápida MUR0860BF
Qinwei 600V 8A Diodos de recuperação rápida MUR0860BF
Qinwei 600V 8A Diodos de recuperação rápida MUR0860BF
Qinwei 600V 8A Diodos de recuperação rápida MUR0860BF
Qinwei 600V 8A Diodos de recuperação rápida MUR0860BF
Qinwei 600V 8A Diodos de recuperação rápida MUR0860BF
Qinwei 600V 8A Diodos de recuperação rápida MUR0860BF

Qinwei 600V 8A Diodos de recuperação rápida MUR0860BF

Quantidade de pedido mínimo:1

Descrição do produto
Atributos do produto

Modelo: MUR0860BF(QINWEI)

marca: Qinwei

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro

Materiais De Referência: Ficha de dados, foto

VRRM: 600V

IF(AV): 8A

Vf (se = 8a, Tc = 25 ℃) Máx: 1.65V

IFSM: 80A

Trr (se = 0,5a, Ir = 1,0a, IRR = 0,25a) Máx: 40ns

Tj: 150℃

Package: TO-220F-2L

Embalagem & Entrega
Dispositivos semicondutores ( dispositivos discretos )
600V 8A Diodo de recuperação rápida
Características
* Corrente de vazamento reverso inferior
* Baixo consumo de energia, alta eficiência
* Alta capacidade de tensão reversa
* Ruído de comutação baixa
* Produto compatível com ROHS
Aplicações
* Corretor de fator de potência (PFC)
* Fonte de alimentação do modo de comutação (SMPS)
* Outros circuitos eletrônicos
Pacote e contorno
TO-220F-2L
                               
Diode TO-220F-2L
MUR1560FB Package
Classificações máximas ( TC = 25 ℃)

Parameter
 

Symbol
 

Value
 

Unit
 
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM

VRWM
VR
600 V
Average Rectified Forward Current IF(AV) 8 A
Surge non repetitive forward current
   (tp = 8.3 ms sinusoidal)
IFSM 80 A
Storage Temperature Range Tstg -55~+150 ℃
Operating Junction Temperature TJ 150 ℃
Características elétricas
Parameter Symbol Max Unit
 Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
@ IF = 8A, TC = 25°C
@ IF = 8A, TC = 125°C
VF 1.65
1.50
V
 Instantaneous Reverse Current (Note 1)
@ Rated DC Voltage, TC = 25°C
@ Rated DC Voltage, TC = 125°C
IR 2
100
uA
Maximum Reverse Recovery Time
 IF=0.5A, IR= 1.0A,irr=0.25A
TRR 40 ns
O Diodo de Recuperação Fast (FRD) é um tipo de diodo semicondutor projetado especificamente para aplicações de comutação de alta velocidade, pertencentes à categoria de componentes eletrônicos. Sua característica principal é um tempo de recuperação reverso extremamente curto, normalmente na faixa de nanossegundos a microssegundos. Ao alternar do viés direto para o viés reverso, ele rapidamente corta o fluxo de corrente, reduzindo significativamente as perdas de comutação e a interferência eletromagnética (EMI). Essa característica o torna adequado para circuitos de alta frequência, como fontes de alimentação, inversores e circuitos de acionamento de motor.
Produtos quentes
Casa> Lista de Produto> Dispositivos de disco semicondutores> Diodo de recuperação rápida> Qinwei 600V 8A Diodos de recuperação rápida MUR0860BF
  • Enviar Inquérito

Copyright © 2026 Guangdong Kinwill Electronic Co., LtdTodos os direitos reservados.

Enviar Inquérito
*
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

enviar