Modelo: LEGM200BH120L2H
Vceds: 1200V
IC(TC=100 ℃): 200A
ICRM: 400A
Vges: ± 30V
Ptot: 950W
VCE(sat)@VGE=15V,Tvj=25 ℃: 1.80V
ICES: 3.0mA
Pacote: L2
Módulo IGBT 200A 1200V-LEGM200BH120L2H
Características
• V CE = 1200V I C = 200A
• Low V CE (SAT)
• V cesat com coeficiente de temperatura positivo
• Temperatura máxima da junção 150 ℃
• Pacote do tipo isolamento
Aplicações
- Energia renovável : inversores solares, conversores de turbinas eólicas e sistemas de armazenamento de energia
- Motores industriais : controle de motores CA em bombas, compressores e automação de fábrica
- Veículos elétricos (VEs) : inversores de tração para controle de motor, conversores DC-DC
- Controle motor e unidades
Tipo de pacote e circuito interno
O módulo de potência IGBT é um dispositivo de semicondutor de potência integrado que combina vários chips IGBT, diodos de roda livre e componentes auxiliares (por exemplo, sensores de temperatura, drivers de porta) em um único pacote compacto. Projetado para operações de alta tensão (até 6,5kV), de alta corrente (até milhares de amperes) e de alta frequência, ele atua como um interruptor eletrônico eficiente para controlar grandes quantidades de energia elétrica em sistemas industriais.
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