Modelo: BIPN60050C
VCES: 600V
IC (TC = 25 ℃): 50a
ICP (colecionador De Corrente): 100a
VCE (SAT)@IC = 50A, TJ = 25 ℃ Tip: 1.8V
VCE (SAT)@IC = 50A, TJ = 25 ℃ MAX: 2.2V
TJ: -20 ~+150 ℃
VISO: 2500VRMS
Package: DIP27-4426
600V 50A Módulos de energia inteligente (IPM)
Módulo IPM - BIPN60050C
Descrição geral
O BIPN60050C é um módulo de potência inteligente avançado (IPM) que foi desenvolvido e projetado recentemente. Este produto apresenta um tamanho compacto de pacote e forte capacidade anti-interferência, alcançando a correspondência ideal com transistores bipolares de porta isolados (IGBTS). Internamente, integra circuitos de bloqueio de subtensão (UVLO), circuitos de proteção de sobrecorrente e circuitos de direção, aumentando significativamente a confiabilidade do sistema. O circuito integrado integrado de alta tensão interno (HVIC) fornece funcionalidade de acionamento sem isolamento de co-acoplador de opto. A adoção de terminais negativos discretos permite o monitoramento independente de cada corrente de fase do inversor. Este produto é adequado para acionamentos de motor CA compactos e de alto desempenho, como inversores de baixa potência e ar condicionado inversor.
Características
Adota DBC com baixo projeto de resistência térmica
600V 50A IGBT de três fases inversor, incluindo ICS de controle para condução do portão e Proteção do dispositivo de energia
Apresenta terminais DC negativos discretos para cada fase, permitindo que a sensação de corrente independente de fase
Incorpora um circuito integrado de alta tensão (HVIC) e diodos de bootstrap, permitindo a operação com uma única fonte de alimentação
Fornece uma classificação de isolamento de 2500 VRMs/minuto
Campos de aplicação
Ar condicionado, máquinas de lavar e outros eletrodomésticos de frequência variável
Conversor de frequência de baixa potência
Sistemas de controle de servo
Invers inversores trifásicos para sistemas de acionamento de motor CA de baixa potência
Configuração do pino
* Módulo de energia inteligente (IPM) é um módulo de eletrônica de potência altamente integrado, um tipo de dispositivo semicondutor. Ele monoliticamente empacota dispositivos de comutação de energia (como IGBTS ou MOSFETs), um circuito de acionamento, circuitos de proteção (incluindo excesso de corrente, super-temperatura e proteção contra bloqueio de tensão) e circuitos de interface (como mudança de nível e saída de sinal de falha) em uma única unidade física compacta. Amplamente utilizado em acionamentos de motor e controle de frequência variável.
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