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Casa> Lista de Produto> Dispositivos de módulo de semicondutores> Módulo IGBT> Alto desempenho 1200V 40A Módulo IGBT LEGM40BF120L4HZ
Alto desempenho 1200V 40A Módulo IGBT LEGM40BF120L4HZ
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Quantidade de pedido mínimo:1

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Descrição do produto
Atributos do produto

Modelo: LEGM40BF120L4HZ

Vceds: 1200V

IC (TC = 100 ℃): 40A

ICRM: 80a

Vges: ± 30V

Ptot: 190W

VCE(sat)@VGE=15V,Tvj=25 ℃: 2.1V

ICES: 5.2mA

Package: L4

Embalagem & Entrega
Alto desempenho 1200V 40A Módulo IGBT LEGM40BF120L4HZ
Módulo de potência IGBT
Módulo IGBT 40A 1200V - LEGM40BF120L4HZ
Aplicações:
• O inversor
• Controle e unidades motoras
• SMPs industriais de alta eficiência
• Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
Características:
• VCE = 1200V, IC = 40A
• VCE baixo (SAT)
• Vcesat com coeficiente de temperatura positivo
• Temperatura máxima da junção 175 ℃
• Pacote do tipo isolamento
Tipo de pacote e circuito interno
IGBT Module L4LEGM40BF120L4HZ Package
Dimensões do pacote
LEGM40BF120L4HZ Package Dimensions
Um módulo de potência IGBT (transistor bipolar bipolar isolado) é um dispositivo de semicondutor de energia integrado que combina vários chips IGBT, diodos de roda livre e componentes auxiliares (por exemplo, sensores de temperatura, drivers de porta) em um único pacote compacto.
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