Qinwei Mur2060C Diodo de recuperação rápida com 600V 20A

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Atributos do produto

Modelo: MUR2060C(QINWEI)

marca: Qinwei

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, outro, Varejista

Materiais De Referência: foto, Ficha de dados

VRRM: 600V

IF(AV): 20A

Vf (se = 20a, Tc = 25 ℃) Máx: 1.65V

IFSM: 200A

Trr (se = 0,5a, Ir = 1,0a, IRR ＝ 0,25a) Máx: 50ns

Tj: 150°C

Package: TO-220-2L

Embalagem & Entrega

Dispositivos semicondutores - dispositivos discretos

600V 20A Diodo de recuperação rápida

Características

* Corrente de vazamento reverso inferior

* Baixo consumo de energia, alta eficiência

* Tempo de recuperação reversa ultra-curto

* Alta confiabilidade

* Queda moderada de tensão para a frente

Aplicações

* Corretor de fator de potência (PFC)

* Fonte de alimentação do modo de comutação (SMPS)

* Sistemas de controle industrial

* Outros circuitos eletrônicos

Pacote e contorno

TO-220-2L

Classificações máximas (TC = 25 ℃)

Parameter	Symbol	Value	Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage	VRRM VRWM VR	600	V
Average Rectified Forward Current	IF(AV)	20	A
Surge non repetitive forward current (tp = 8.3 ms sinusoidal)	IFSM	200	A
Storage Temperature Range	Tstg	-55~+150	℃
Operating Junction Temperature	TJ	150	℃

Características elétricas

Parameter	Symbol	Max	Unit
Instantaneous Forward Voltage (Note 1) @ IF = 20A, TC = 25°C @ IF = 20A, TC = 125°C	VF	1.65 1.50	V
Instantaneous Reverse Current (Note 1) @ Rated DC Voltage, TC = 25°C @ Rated DC Voltage, TC = 125°C	IR	2 150	uA
Maximum Reverse Recovery Time IF=0.5A, IR= 1.0A,irr＝0.25A	TRR	50	ns

O Diodo de Recuperação Fast (FRD) é um tipo de diodo semicondutor projetado especificamente para aplicações de comutação de alta velocidade, pertencentes à categoria de componentes eletrônicos. Sua característica principal é um tempo de recuperação reverso extremamente curto, normalmente na faixa de nanossegundos a microssegundos. Ao alternar do viés direto para o viés reverso, ele rapidamente corta o fluxo de corrente, reduzindo significativamente as perdas de comutação e a interferência eletromagnética (EMI). Essa característica o torna adequado para circuitos de alta frequência, como fontes de alimentação, inversores e circuitos de acionamento de motor.