Qinwei 600V 30A MUR3060P DIodo de recuperação rápida

Quantidade de pedido mínimo:1

Atributos do produto
Embalagem & Entrega
Other information

Atributos do produto

Modelo: MUR3060P(QINWEI)

marca: Qinwei

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, Varejista

Materiais De Referência: Ficha de dados, foto

VRRM: 600V

IF(AV): 30A

VF(IF=30A,TC=25℃)Max: 1.7V

IFSM: 300A

Trr (se = 0,5a, Ir = 1,0a, IRR ＝ 0,25a) Máx: 55ns

Tj: 150℃

Package: TO-247-2L

Embalagem & Entrega

Dispositivos semicondutores

Diodo de recuperação super rápido

Características

* Corrente de vazamento reverso inferior

* Baixo consumo de energia, alta eficiência

* Alta confiabilidade

* Produto compatível com ROHS

Aplicações

* Corretor de fator de potência (PFC)

* Fonte de alimentação do modo de comutação (SMPS)

* Outros circuitos eletrônicos

Pacote e contorno

TO-247-2L

Classificações máximas (TC = 25 ℃)

Parameter	Symbol	Value	Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage	VRRM VRWM VR	600	V
Average Rectified Forward Current (Rated VR, TC = 125°C) Per Diode Per Device	IF(AV)	15 30	A
Surge non repetitive forward current (tp = 8.3 ms sinusoidal)	IFSM	200	A
Storage Temperature Range	Tstg	-55~+150	℃
Operating Junction Temperature	TJ	150	℃

Características elétricas

Parameter	Symbol	Max	Unit
Instantaneous Forward Voltage (Note 1) @ IF = 15A, TC = 25°C @ IF = 15A, TC = 125°C	VF	1.65 1.50	V
Instantaneous Reverse Current (Note 1) @ Rated DC Voltage, TC = 25°C @ Rated DC Voltage, TC = 125°C	IR	3 200	uA
Maximum Reverse Recovery Time IF=0.5A, IR= 1.0A,irr＝0.25A	TRR	45	ns

O Diodo de Recuperação Fast (FRD) é um tipo de diodo semicondutor projetado especificamente para aplicações de comutação de alta velocidade, pertencentes à categoria de componentes eletrônicos. Sua característica principal é um tempo de recuperação reverso extremamente curto, normalmente na faixa de nanossegundos a microssegundos. Ao alternar do viés direto para o viés reverso, ele rapidamente corta o fluxo de corrente, reduzindo significativamente as perdas de comutação e a interferência eletromagnética (EMI). Essa característica o torna adequado para circuitos de alta frequência, como fontes de alimentação, inversores e circuitos de acionamento de motor.