MOSFET LSD55R140GF

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Atributos do produto

Modelo: LSD55R140GF

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, Agência, Varejista

Materiais De Referência: Ficha de dados, foto

VDSS: 550V

ID: 23A

Rds (on), Máx: 0,14Ω

Ciss: 1703pf

Pacote De Dispositivo: TO-220F

Temperatura De Operação: -55 a +150 ° C.

Embalagem & Entrega

N-Channel MOSFET

550V 23A Power MOSFET, pacote TO-220F

Perfil do produto

Projetado com tecnologia avançada de super junção, os MOSFETs de potência Lonfet ™ alcançam o desempenho da condução inovadora. A característica de Ultralow na resistência permite vantagens críticas em projetos densos de energia, exigindo pico de eficiência energética.

Destaques de desempenho

◆ Perdas mínimas de condução (RDS (ON))

◆ Dinâmica de comutação otimizada (QG Typ. 40NC)
◆ Verificação completa da robustez de avalanche
◆ Fabricação ecológica (ROHS)

Aplicações

◆ Otimização do circuito PFC
◆ topologias SMPs de alta eficiência
◆ Arquiteturas da UPS de missão crítica

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	550	V
Continuous drain current 1) ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	23 14.5	A A
Pulsed drain current 2)	IDM	69	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 3)	EAS	600	mJ
Power Dissipation	PD	34	W
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	23	A
Diode pulse current	IS,pulse	69	A

*Um MOSFET (transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal) é um dispositivo semicondutor controlado por voltagem e pertence à categoria de componentes eletrônicos, regula o fluxo de corrente entre sua fonte e os terminais de drenagem aplicando uma tensão ao terminal da porta. Sua estrutura central consiste em uma porta de metal , uma camada de óxido isolante (normalmente SiO₂) e um canal de semicondutores . Os principais recursos incluem alta impedância de entrada, baixa potência de acionamento e velocidades de comutação rápidas.