MOSFET LNA20N50W

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Modelo: LNA20N50W

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro

Materiais De Referência: foto, Ficha de dados

VDSS: 500V

ID: 22A

RDS(on),max: 0.29Ω

Ciss: 2915pF

Device Package: TO-3P

Operating Temperature: -55 to +150°C

Embalagem & Entrega

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MOSFET LNA20N50W

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Dispositivo semicondutor de energia

MOSFET LNA20N50W

Descrição

Esse MOSFET de potência utiliza a tecnologia avançada de fabricação do Planar VDMOS, fornecendo baixa resistência, eficiência de comutação aprimorada e alta robustez de avalanche.

Características

◆ Ultra-baixa em resistência (RDS (ON))

◆ Baixa carga do portão (Typ. Q G = 58 NC)

◆ 100% testado UIS

◆ Compatível com ROHS

Aplicações

◆ Correção do fator de potência

◆ Fontes de alimentação em modo de comutação de alta eficiência (SMPS)

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	500	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	22 14	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	88	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	1201	mJ
Power Dissipation ( TC = 25°C )	PD	321	W
Operating junction and storage temperature range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	22	A
Diode pulse current	IS,pulse	88	A