Alta tensão N-canal Power MOSFET LND4N65

Quantidade de pedido mínimo:1

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Atributos do produto

Modelo: LND4N65

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro

Materiais De Referência: Ficha de dados, foto

VDSS: 650V

ID: 4A

Rds (on), Máx: 2.7Ω

Ciss: 550pf

Pacote De Dispositivo: TO-220F

Temperatura De Operação: -55 a +150 ° C.

Embalagem & Entrega

MOSFET LND4N65

Visão geral do produto

Este Power MOSFET é desenvolvido usando a tecnologia avançada Planar VDMOS. O dispositivo projetado oferece baixa resistência, excelentes características de comutação e alta capacidade de energia de avalanche.

Principais recursos

⚫ baixo r ds (on)

⚫ Baixa carga do portão (Typ. Q G = 13.3NC)

⚫ UIs totalmente (comutação indutiva não classificada) testadas

⚫ Certificado de conformidade ROHS

Aplicações

⚫ Circuitos de correção do fator de potência (PFC)

⚫ Suprimentos de alimentação em modo de comutação de alta frequência (SMPS)

⚫ Drivers de iluminação LED

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current 1) ( TC = 25°C ) ( TC= 100°C )	ID	4 2.5	A A
Pulsed drain current 2)	IDM	16	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 3)	EAS	199	mJ
Power Dissipation	PD	27	W
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	4	A
Diode pulse current	IS,pulse	16	A

Informações sobre marcação e pedido de embalagem

Device	Device Package	Marking	Units/Tube
LND4N65	TO-220F	LND4N65	50