MOSFET LNB20N60

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Atributos do produto

Modelo: LNB20N60

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro

Materiais De Referência: Ficha de dados, foto

VDSS: 600V

ID: 20A

Rds (on), Máx: 0,45Ω

Ciss: 2960pf

Pacote De Dispositivo: To-247

Operating Temperature: -55 to +150°C

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MOSFET LNB20N60

Perfil do produto

Utilizando a arquitetura avançada do Planar VDMOS , este Power MOSFET oferece um dispositivo de alto desempenho caracterizado por RDS ultra-baixo (ON), excelente velocidade de comutação e capacidade de energia robusta de avalanche.

( Um Planar VDMOS é um tipo de MOSFET de potência fabricado usando a tecnologia plana , com um fluxo de corrente vertical do dreno (inferior) para a fonte (em cima). Sua característica chave é a formação de uma região de canal através de dupla difusão de dopantes (por exemplo, boro e fósforo), ativando o controle preciso do comprimento do canal e da alta volta de transmissão.

Principais recursos

 RDS Ultra-Low (ON)

 Carga baixa do portão (Typ. Q G = 63,7 NC)

 100% testado para troca indutiva não reduzida (UIS) Ruggedness

 Compatiante com os padrões ambientais da ROHS

Aplicações

Sistemas de correção de fatores de potência (PFC)

 Aplicações de fonte de alimentação de modo comutada (SMPS)

Circuits Circuitos de motorista Ed

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	600	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	20 12.5	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	80	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	845	mJ
Peak diode recovery dv/dt 3)	dv/dt	5	V/ns
Power Dissipation TO-220F ( TC = 25°C ) Derate above 25°C	PD	45 0.36	W W/°C
Power Dissipation TO-247/TO-220 ( TC = 25°C ) Derate above 25°C	PD	250 2	W W/°C
Operating junction and storage temperature range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	20	A
Diode pulse current	IS,pulse	80	A