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PTW90N20 200V N-CANNAL POWER MOSFET
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Quantidade de pedido mínimo:1

Descrição do produto
Atributos do produto

ModeloPTW90N20

Tipo De FornecimentoFabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro

Materiais De ReferênciaFicha de dados, foto

VDSS200V

ID94A

Rds (on), Tip20mΩ

Ciss6280pf

Temperatura De Operação-55 a 150 ℃

Device PackageTO-3P

Embalagem & Entrega
200V N-canal MOSFET
Power MOSFET - PTW90N20
(* Um MOSFET (transistor de efeito de campo de óxido de metal-semicondutor) é um dispositivo semicondutor controlado por voltagem e pertence à categoria de componentes eletrônicos , regula o fluxo atual entre sua fonte e os terminais de drenagem aplicando uma tensão ao terminal da porta.)

Destaques técnicos:

  • Tecnologia de processo planar proprietário avançado

  • Baixa resistência: rds (on) = 20mΩ (tip.) @ Vgs = 10v

  • A carga baixa do portão reduz as perdas de comutação

  • Diodo corporal de recuperação rápida (para melhorar a eficiência)

Aplicações de destino:

  • Controladores de motor DC sem escova (BLDC)

  • Inversores de poder

  • Conversores DC-DC

  • Inversores DC-AC para fontes de alimentação ininterruptas (UPS)

  • Modo de comutador Supplies de alimentação (SMPs) e sistemas de controle de motor

PTW90N20 TO-3P
Classificações máximas absolutas
Symbol Parameter PTW90N20 Unit
VDSS Drain-to-Source Voltage 200 V
VGSS Gate-to-Source Voltage ±20
ID Continuous Drain Current 94 A
ID @ Tc =100 Continuous Drain Current @ Tc=100 70
IDM Pulsed Drain Current at VGS=10V 380
EAS Single Pulse Avalanche Energy 2800 mJ
dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns
PD Power Dissipation 580 W
Derating Factor above 25 3.8 W/
TL
TPAK
Maximum Temperature for Soldering
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10
seconds, Package Body for 10 seconds
              300              
260
TJ& TSTG Operating and Storage Temperature Range -55 ~150
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