MOSFET PTF24N90 MOSFET PTF24N90 para uso confiável

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Atributos do produto

Modelo: PTF24N90

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, Agência, ODM, Varejista, outro

Materiais De Referência: foto, Ficha de dados

VDSS: 900V

ID: 24A

Rds (on), Tip: 320mΩ

Ciss: 7500pf

Temperatura De Operação: -55 a 150 ℃

Pacote De Dispositivo: To-247

Embalagem & Entrega

900V N-canal MOSFET

Power MOSFET - PTF24N90

Recursos e vantagens

Fabricado com processo planar avançado
RDS típico (ON) = 320 MΩ @ VGS = 10V
A carga baixa do portão minimiza as perdas de comutação
Estrutura de portão de polissilício robusto

Casos de uso típicos

Drivers de motor BLDC
Equipamento de soldagem elétrica
SMPs de alta eficiência (fontes de alimentação com comutação)

Absoluto Máximo Classificações

Symbol	Parameter	Maximum Rating	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	900	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	24	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc=100℃	15
IDM	Pulsed Drain Current at VGS=10V[2,4]	96
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	3200	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	660	W
PD	Derating Factor above 25℃	5.26	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

Observação:

[1] TJ = +25 ℃ a +150 ℃.

[2] Somente a corrente de silício limitou apenas.

[3] Corrente limitada do pacote.

* Um MOSFET (transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal) é um dispositivo semicondutor controlado por voltagem e pertence à categoria de componentes eletrônicos , regula o fluxo de corrente entre sua fonte e os terminais de drenagem aplicando uma tensão ao terminal da porta. Sua estrutura central consiste em uma porta de metal , uma camada de óxido isolante (normalmente SiO₂) e um canal de semicondutores . Os principais recursos incluem alta impedância de entrada, baixa potência de acionamento e velocidades de comutação rápidas.