Name: 1500V N-C-CH High Planar MOSFET PTH03N150
Uploaded: 2025-06-11T10:33:23+08:00
Description: 1500V N-C-CH High Planar MOSFET Power MOSFET - PTH03N150 Características gerais  Compatível com ROHS  R DS

1500V N-C-CH High Planar MOSFET PTH03N150

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Atributos do produto

Modelo: PTH03N150

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro

Materiais De Referência: Ficha de dados, foto

VDSS: 1500V

ID: 3A

RDS(ON),typ: 5.4Ω

Ciss: 1600pF

Temperatura De Operação: -55 a 150 ℃

Pacote De Dispositivo: TO-3PF

Embalagem & Entrega

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1500V N-C-CH High Planar MOSFET PTH03N150

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1500V N-C-CH High Planar MOSFET

Power MOSFET - PTH03N150

Características gerais

 Compatível com ROHS

 R DS (ON), TIP. = 5,4 Ω@V gs = 10V

 Baixa carga portão minimize a perda de comutação

 Diodo corporal de recuperação rápida

Aplicações

 Adaptador

 Carregador

 SMPS Standby Power

Máximo absoluto Classificações

Symbol	Parameter	PTH03N150	PTA03N150	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	1500		V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30		V
ID	Continuous Drain Current	3		A
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V	12		A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy,L=30mH	500		mJ
PD	Power Dissipation	90	35	W
PD	Derating Factor above 25℃	0.72	0.28	W/℃
TL	Soldering Temperature Distance of 1.6mm from case for 10 seconds	300		℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150		℃

* O MOSFET , um transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal, é classificado como um dispositivo semicondutor controlado por voltagem dentro da categoria mais ampla de componentes eletrônicos, regula o fluxo de corrente entre seus terminais de fonte e drenagem aplicando uma tensão ao termo da porta.