600V N-canal MOSFET PTW26N60

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Atributos do produto

Modelo: PTW26N60

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, Agência, Varejista, outro, ODM

Materiais De Referência: Ficha de dados, foto

VDSS: 600V

ID: 26A

Rds (on), Tip: 250mΩ

Ciss: 4.28pf

Temperatura De Operação: -55 a 150 ℃

Device Package: TO-3P

Embalagem & Entrega

600V N-canal MOSFET

Power MOSFET --600V 26A PTW26N60

Aplicações

 Driver de motor BLDC

Welding Soldador elétrico

 SMPS de alta eficiência

Características gerais

 Processo Planar Avançado

 RDS (ON), TIP. = 250 MΩ@VGS = 10V

 Baixa carga portão minimize a perda de comutação

 Estrutura de portão de silício poli robusto

Características gerais

 Processo Planar Avançado

 RDS (ON), TIP. = 250 MΩ@VGS = 10V

 Baixa carga portão minimize a perda de comutação

 Estrutura de portão de silício poli robusto

Máximo absoluto Classificações

Symbol	Parameter	PTW26N60	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	600	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	26	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc= 100℃	17
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2,4]	104
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	1500	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	264	W
PD	Derating Factor above 25℃	2.11	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

* Um MOSFET (transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal) é um dispositivo semicondutor controlado por voltagem e pertence à categoria de componentes eletrônicos , regula o fluxo de corrente entre sua fonte e os terminais de drenagem aplicando uma tensão ao terminal da porta. Sua estrutura central consiste em uma porta de metal , uma camada de óxido isolante (normalmente SiO₂) e um canal de semicondutores . Os principais recursos incluem alta impedância de entrada, baixa potência de acionamento e velocidades de comutação rápidas.