Alta tensão 500V N-canal MOSFET PTW30N50EL

Quantidade de pedido mínimo:1

Atributos do produto
Embalagem & Entrega
Other information

Atributos do produto

Modelo: PTW30N50EL

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro

Materiais De Referência: Ficha de dados, foto

VDSS: 500V

ID: 30A

Rds (on), Tip: 150mΩ

Ciss: 4150pf

Temperatura De Operação: -55 a 150 ℃

Device Package: TO-3P

Embalagem & Entrega

500V N-canal MOSFET

Power MOSFET - 500V 30A / PTW30N50EL

Características gerais

 Processo Planar Avançado

 R DS (ON), TIP. = 150mΩ@v gs = 10v

 Baixa carga portão minimize a perda de comutação

 Estrutura de portão de silício poli robusto

Aplicações de destino

 Sistemas de acionamento de motor DC sem escova (BLDC)

 Equipamento de soldagem

 Fontes de alimentação de alta eficiência no modo de comutação

Pacote: TO-3P é um tipo de pacote padrão para transistores de alta potência, com um encapsulamento de plástico com um dissipador de calor de placa de metal integrada, três cabos e montagem no orifício.

Máximo absoluto Classificações

Symbol	Parameter	PTW30N50EL	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	500	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	30	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc=100℃	18
IDM	Pulsed Drain Current at VGS=10V[2,4]	120
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	2000	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	333	W
PD	Derating Factor above 25℃	2.63	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

Um MOSFET (transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal) é um dispositivo semicondutor controlado por voltagem e pertence à categoria de componentes eletrônicos, regula o fluxo de corrente entre sua fonte e os terminais de drenagem aplicando uma tensão ao terminal da porta.