250V N-canal MOSFET PTW50N25

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Modelo: PTW50N25

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro

Materiais De Referência: foto, Ficha de dados

VDSS: 250V

ID: 50A

Rds (on), Tip: 45mΩ

Ciss: 3560pf

Temperatura De Operação: -55 a 150 ℃

Device Package: TO-3P

Embalagem & Entrega

N-Channel MOSFET

Power MOSFET 250V 50A PTW50N25

Características gerais



 R DS (ON), TIP. = 45mΩ@v gs = 10v

 Baixa carga portão minimize a perda de comutação

 Diodo corporal de recuperação rápida

Aplicações

 Conversores de energia DC-DC

Inversores DC -AC para fonte de alimentação ininterrupta (UPS)

 Fontes de alimentação no modo de comutação (SMPs) e unidades motoras

Máximo absoluto Classificações

Symbol	Parameter	Rating	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage[ 1]	250	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
ID	Continuous Drain Current	50	A
ID @ Tc =100℃	Continuous Drain Current @ Tc= 100℃	25
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2]	200
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	1250	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	278	W
PD	Derating Factor above 25℃	1.0	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

Observação:

[1] t J = +25 ℃ a +150 ℃

[2] Classificação repetitiva; Largura do pulso limitada pela temperatura máxima da junção.

[3] I SD = 20a di/dt <100 a/μs, v dd <bv dss , t j =+150 ℃ .

[4] largura de pulso ≤380µs; Ciclo de trabalho ≤2%.

*O MOSFET , um transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal, é classificado como um dispositivo semicondutor controlado por voltagem dentro da categoria mais ampla de componentes eletrônicos, regula o fluxo de corrente entre seus terminais de fonte e drenagem aplicando uma tensão ao termo da porta.