Quantidade de pedido mínimo:1
Modelo: PTW50N30
Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro
Materiais De Referência: foto, Ficha de dados
VDSS: 300V
ID: 50A
Rds (on), Tip: 68mΩ
Ciss: 3537pf
Temperatura De Operação: -55 a 150 ℃
Device Package: TO-3P
Máximo absoluto Classificações
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Symbol |
Parameter |
PTW50N30 |
Unit |
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VDSS |
Drain-to-Source Voltage[ 1] |
300 |
V |
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VGSS |
Gate-to-Source Voltage |
±20 |
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ID |
Continuous Drain Current |
50 |
A |
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ID @ Tc =100℃ |
Continuous Drain Current @ Tc= 100℃ |
31 |
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IDM |
Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2] |
200 |
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EAS |
Single Pulse Avalanche Energy |
3044 |
mJ |
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dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt[3] |
5.0 |
V/ns |
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PD |
Power Dissipation |
305 |
W |
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Derating Factor above 25℃ |
2.50 |
W/℃ |
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TL TPAK |
Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds |
300 260 |
℃ |
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TJ& TSTG |
Operating and Storage Temperature Range |
-55 to 150 |
* O MOSFET , um transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal, é classificado como um dispositivo semicondutor controlado por voltagem dentro da categoria mais ampla de componentes eletrônicos, regula o fluxo de corrente entre seus terminais de fonte e drenagem aplicando uma tensão ao termo da porta. Os MOSFETs são amplamente utilizados em eletrônicos modernos, incluindo gerenciamento de energia, amplificação e comutação de energia, etc.
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