Name: 300V N CANAL MOSFET PTW69N30B
Uploaded: 2025-06-11T10:24:24+08:00
Description: 300V N-canal MOSFET Power MOSFET para SMPS - PTW69N30B Características gerais  Processo Planar Avançado  R DS

MOSFET PTW69N30B

Quantidade de pedido mínimo:1

Atributos do produto
Embalagem & Entrega
Other information

Atributos do produto

Modelo: PTW69N30B

Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, Varejista, outro

Materiais De Referência: Ficha de dados, foto

VDSS: 300V

ID: 69A

Rds (on), Tip: 40mΩ

Ciss: 5790pf

Temperatura De Operação: -55 a 150 ℃

Device Package: TO-3P

Embalagem & Entrega



300V N CANAL MOSFET PTW69N30B



300V N-canal MOSFET

Power MOSFET para SMPS - PTW69N30B

Características gerais

 Processo Planar Avançado

 R DS (ON), TIP. = 40 MΩ@V gs = 10V

 Baixa carga portão minimize a perda de comutação

 Estrutura de portão de silício poli robusto

Aplicações

 Driver de motor BLDC

Welding Soldador elétrico

 SMPS de alta eficiência

Máximo absoluto Classificações

Symbol	Parameter	PTW69N30B	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	300	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	69	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc= 100℃	42
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2,4]	276
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	4494	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	520	W
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

* O MOSFET , um transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal, é classificado como um dispositivo semicondutor controlado por voltagem dentro da categoria mais ampla de componentes eletrônicos, regula o fluxo de corrente entre seus terminais de fonte e drenagem aplicando uma tensão ao termo da porta. Os MOSFETs são amplamente utilizados na eletrônica moderna.