Name: 200V N-canal MOSFET SPTF20R10
Uploaded: 2025-06-11T10:21:01+08:00
Description: 200V N-canal MOSFET Power MOSFET - SPTF20R10 Características gerais   R DS (ON), TIP. =9.3mω@v gs = 10v 

200V N-canal MOSFET SPTF20R10

Quantidade de pedido mínimo:1

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Atributos do produto

Modelo: SPTF20R10

Tipo De Fornecimento: ODM, Fabricante original, Agência, Varejista, outro

Materiais De Referência: foto, Ficha de dados

VDSS: 200V

ID: 110A

RDS(ON),typ: 9.3mΩ

Ciss: 10656pF

Temperatura De Operação: -55 a 150 ℃

Pacote De Dispositivo: To-247

Embalagem & Entrega

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200V N-canal MOSFET SPTF20R10

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200V N-canal MOSFET

Power MOSFET - SPTF20R10

Características gerais



 R DS (ON), TIP. =9.3mω@v gs = 10v

 Baixa carga portão minimize a perda de comutação

 Diodo corporal de recuperação rápida

Aplicações

 Conversor DC/DC

 Ideal para comutação de alta frequência e retificação síncrona

Absoluto Máximo Classificações

Symbol	Parameter	Limit	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage[1]	200	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
ID	Continuous Drain Current	110	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc=100℃	75
IDM	Pulsed Drain Current at VGS=10V[2]	440
EAS	Single Pulse Avalanche Energy L=10mH	2000	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	278	W
PD	Derating Factor above 25℃	2.22	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

UmMOSFET (transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal) é um dispositivo semicondutor controlado por voltagem e pertence à categoria de componentes eletrônicos, regula o fluxo de corrente entre sua fonte e os terminais de drenagem aplicando uma tensão ao terminal da porta.