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1500V N-C-CH High Planar MOSFET PTH03N150

1500V N-C-CH High Planar MOSFET Power MOSFET - PTH03N150 Características gerais  Compatível com ROHS  R DS (ON), TIP. = 5,4 Ω@V gs = 10V  Baixa carga portão minimize a perda de comutação  Diodo corporal de recuperação rápida Aplicações ...

SAM212M10BF1 1200V 10A Módulo de motorista de três fases

1200V 10A Módulos de energia inteligente (IPM) Módulo IPM - SAM212M10BF1 Descrição O SAM212M10BF1 é um motorista do motor sem escova trifásico, no qual os transistores de saída, um circuito pré-Drive, diodos de bootstrap com resistores de limitação...

600V 20A módulo IPM de três fases SIM2-202B

600V 20A Módulos de energia inteligente (IPM) Módulo IPM- SIM2-202B Descrição O SIM2-202B é um motorista de motor de vice-fase de alta tensão, no qual os transistores, circuitos pré-drive e diodos de bootstrap com resistores de limitação de corrente...

SIM6897M Módulo de energia inteligente 600V para acionamentos de motor

600V 10A Intelligent Power Módulos (IPM) Módulo IPM - SIM6897M Descrição O SIM6897M é um motor de motores de vice-fase de alta tensão, no qual transistores, circuitos pré-drive e circuitos de bootstrap (diodos e resistores) são altamente integrados....

600V Drivers de motor de três fases de alta tensão SCM1272MF

600V 15A Módulos de energia inteligente (IPM) Módulo IPM - SCM1272MF Descrição O SCM1272MF é um motor de alta fase de alta tensão, no qual transistores, circuitos pré-Drive e circuitos de bootstrap (diodos e resistores) são altamente integrados....

650V 50A Driver de motor de três fases SAM265M50BS3

650V 50A Módulos de energia inteligente (IPM) Módulo IPM - SAM265M50BS3 Descrição O SAM265M50BS3 é um motorista do motor sem escova de três fases , no qual os transistores de saída, um circuito pré-Drive, diodos de bootstrap com resistores de...

650V 50A Drivers de motor de três fases SAM265M50AA1

650V 50A Módulos de energia inteligente (IPM) Módulo IPM - SAM265M50AA1 Descrição O SAM265M50AA1 é um motor de motor sem escova trifásico, no qual os transistores de saída, um circuito pré-Drive, diodos de bootstrap com resistores de limitação de...

600V 50A módulo de energia inteligente BIPN60050C

600V 50A Módulos de energia inteligente (IPM) Módulo IPM - BIPN60050CDescrição geral O BIPN60050C é um módulo de potência inteligente avançado (IPM) que foi desenvolvido e projetado recentemente. Este produto apresenta um tamanho compacto de pacote...

Eficiente 600V 30A IPM BIP60030G-A para eletrodomésticos

600V 30A Módulos de energia inteligente (IPM) Módulo IPM- BIP60030G-A Descrição geral O BIP60030G-A é um módulo de potência inteligente avançado que possui recentemente desenvolvido e projetado para fornecer um desempenho muito compacto e de alto...

IPM 600V 20A BIPN60020C para conversor de frequência

600V 20A Módulos de energia inteligente (IPM) Módulo IPM - BIPN60020C Descrição geral O BIPN60020C é um módulo de potência inteligente avançado (IPM) que foi desenvolvido e projetado recentemente. Este produto apresenta um tamanho compacto de pacote...

BIPN60015C 600V 15A IPM para controle de servo

600V 15A Módulos de energia inteligente (IPM) Módulo IPM - BIPN60015C Descrição geral O BIPN60015C é um módulo de potência inteligente avançado (IPM) que foi desenvolvido e projetado recentemente. Este produto apresenta um tamanho compacto de pacote...

600V 20A módulo de energia inteligente BIP60020G-B

600V 20A Módulos de energia inteligente (IPM) Módulo IPM- BIP60020G-B Descrição geral O BIP60020G-B é um módulo de potência inteligente avançado que possui recentemente desenvolvido e projetado, para fornecer um desempenho muito compacto e de alto...

MOSFET LSD55R140GF

N-Channel MOSFET 550V 23A Power MOSFET, pacote TO-220F Perfil do produto Projetado com tecnologia avançada de super junção, os MOSFETs de potência Lonfet ™ alcançam o desempenho da condução inovadora. A característica de Ultralow na resistência...

600V 30A NCE30TD60B TUBO IGBT

Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Descrição geral Empregando a arquitetura proprietária da NCE e a tecnologia avançada de parada de campo de segunda geração (FS II), a Trench II II II de 600V fornece um desempenho excepcional...

MOSFET LSB65R180GT

Mosfet de canal n de alta tensão 650V 20A Power MOSFET - LSB65R180GT Descrição Aproveitando a tecnologia Super Junction de ponta, os MOSFETs de potência Lonfet ™ oferecem uma resistência excepcionalmente baixa. Essa característica os posiciona como...

650V 20A IGBT Transistor DXG20N65PS

Dispositivos discretos semicondutores - transistores IGBT Principais especificações Classificação 650V/20A com VCE típico (SAT) de 1,70V na corrente 20A  Utiliza a tecnologia IGBT de parada de campo avançada  Suporta o tempo de curto-circuito de...

DXG60N65HSE 650V Transistores IGBT

Dispositivos discretos semicondutores - transistores IGBT Características  Classificado para 650V/60A com uma queda típica de tensão no estado de 2,3V na corrente de carga 60A.  Incorpora o design do IGBT de parada de campo para desempenho...

DXG60N65HSEU 650V 60A TUBO IGBT

Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Características  650V/60A com tensão de saturação típica (VCE (SAT)) de 2,3V a 60a  Construída em campo de parada de campo Arquitetura para desempenho aprimorado  Capaz de suportar condições...