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200V N-canal MOSFET SPTF20R10

200V N-canal MOSFET Power MOSFET - SPTF20R10 Características gerais ​  R DS (ON), TIP. =9.3mω@v gs = 10v  Baixa carga portão minimize a perda de comutação  Diodo corporal de recuperação rápida Aplicações  Conversor DC/DC  Ideal para comutação...

Alta tensão 500V N-canal MOSFET PTW30N50EL

500V N-canal MOSFET Power MOSFET - 500V 30A / PTW30N50EL Características gerais  Processo Planar Avançado  R DS (ON), TIP. = 150mΩ@v gs = 10v  Baixa carga portão minimize a perda de comutação  Estrutura de portão de silício poli robusto...

600V 15A Trench FS II IGBT FAST NCE15TD60BD

Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT 600V 15A Trench FS II IGBT FAST NCE15TD60BD Descrição geral Aproveitando a arquitetura proprietária da NCE e a tecnologia de parada de campo de segunda geração (FS), a trincheira FSII IGBT de...

NCE30TH60BPN 600V 30A TREAnch FS II IGBT FAST

Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Descrição geral: Projetado com a tecnologia de arquitetura de parada de campo (TFS) (TFS) da NCE e a tecnologia de parada de campo de segunda geração (FS II). Principais recursos ⚫ Oferta de...

600V 15A TUBO ÚNICO IGBT NCE15TD60BF

Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Descrição geral Aproveitando a arquitetura patenteada da NCE e a tecnologia de parada de campo (FS II) da próxima geração, a Trench II II de 600V FS IGBT oferece desempenho otimizado de...

1200V 25A Trench FS II IGBT FAST NCE25TD120BT

Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT 1200V 25A Trench FS II IGBT FAST NCE25TD120BT Descrição geral: Usando o design proprietário da NCE e a Tecnologia Avançada de Segunda Gerenciamento FS (Stop Field Stop), a trincheira FSII IGBT...

NCE40ER65BP 650V 40A FS III IGBT

Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Descrição geral Aproveitando a arquitetura de campo de Trench Stop III (TFS III) da NCE e a tecnologia avançada de parada de campo, a Trench III III de 650V fornece a melhor eficiência da...

Qinwei de alto desempenho 600V Diodo de recuperação rápida MUR3060PT

Dispositivos discretos semicondutores Diodo de recuperação rápido 30A 600V - Mur3060pt Características * Corrente de vazamento reverso inferior * Baixo consumo de energia, alta eficiência * Alta confiabilidade * Produto compatível com ROHS...

N-Channel 650V 7A Power MOSFET LND7N65D

Dispositivos discretos semicondutores 650V 7A N-canal Power MOSFET Lnd7n65d Resumo do produto VDSS: 650V ID: 7a RDS (ON), MAX: 1.4Ω QG, Tip: 23.5nc Descrição O Power MOSFET é fabricado usando a tecnologia avançada do Planar VDMOS . O dispositivo...

Qinwei confiável 600V 60A Diodo de recuperação rápida MUR6060PT

Dispositivos discretos semicondutores 60A 600V Diodo de recuperação rápida Características * Corrente de vazamento reverso inferior * Baixo consumo de energia, alta eficiência * Alta confiabilidade * Produto compatível com ROHS Aplicações * Circuito...

100W Super Energy Storage Power Supply

Inversor portátil de baixa potência: uma solução de energia compacta e eficiente para a vida em movimento O inversor portátil é um dispositivo que economiza espaço de ponta, projetado para fornecer energia consistente e confiável aonde quer que você...

200W Mini Super Energy Storage Power Supply

O inversor portátil de baixa potência é uma solução de energia compacta e eficiente projetada para indivíduos que precisam de energia confiável em movimento. Este produto apresenta uma saída pura de onda senoidal AC 220V com uma potência nominal de...

Diodos de recuperação rápida Qinwei

Dispositivos semicondutores ( dispositivos discretos ) 600V 15A Diodo de recuperação rápida- Um diodo semicondutor otimizado especificamente para aplicações de comutação de alta frequência Características * Corrente de vazamento reverso inferior*...

Qinwei 600V eficientes Diodo de recuperação rápida Mur1060bf

Dispositivos semicondutores ( dispositivos discretos ) Diodo de recuperação rápido 10A 600V Características * Corrente de vazamento reverso inferior* Baixo consumo de energia, alta eficiência* Tempo de recuperação reversa ultra-curto * Alta...

Qinwei 600V 8A Diodos de recuperação rápida MUR0860BF

Dispositivos semicondutores ( dispositivos discretos ) 600V 8A Diodo de recuperação rápida Características * Corrente de vazamento reverso inferior * Baixo consumo de energia, alta eficiência * Alta capacidade de tensão reversa * Ruído de comutação...

Qinwei Mur2060C Diodo de recuperação rápida com 600V 20A

Dispositivos semicondutores - dispositivos discretos 600V 20A Diodo de recuperação rápida Características * Corrente de vazamento reverso inferior * Baixo consumo de energia, alta eficiência * Tempo de recuperação reversa ultra-curto * Alta...

Qinwei 600V 30A MUR3060P DIodo de recuperação rápida

Dispositivos semicondutores Diodo de recuperação super rápido Características * Corrente de vazamento reverso inferior * Baixo consumo de energia, alta eficiência * Alta confiabilidade * Produto compatível com ROHS Aplicações * Corretor de fator de...

LEGM400CU120L7S 1200V 400A Módulo de energia IGBT

Módulo de potência IGBT 400A Módulo IGBT 1200V - LEGM400CU120L7S Características: • V CE = 1200V I C = 400A • Low V CE (SAT) • V cesat com coeficiente de temperatura positivo • Temperatura máxima da junção 150 ℃ • Pacote do tipo isolamento...

Legm200bh120l2h 1200V Módulo de energia IGBT

Módulo IGBT 200A 1200V-LEGM200BH120L2H Características • V CE = 1200V I C = 200A • Low V CE (SAT) • V cesat com coeficiente de temperatura positivo • Temperatura máxima da junção 150 ℃ • Pacote do tipo isolamento Aplicações Energia renovável :...

MOSFET LNA20N50W

Dispositivo semicondutor de energia MOSFET LNA20N50W Descrição Esse MOSFET de potência utiliza a tecnologia avançada de fabricação do Planar VDMOS, fornecendo baixa resistência, eficiência de comutação aprimorada e alta robustez de avalanche....

Alto desempenho 1200V 40A Módulo IGBT LEGM40BF120L4HZ

Módulo de potência IGBT Módulo IGBT 40A 1200V - LEGM40BF120L4HZ Aplicações: • O inversor • Controle e unidades motoras • SMPs industriais de alta eficiência • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS) Características: • VCE = 1200V, IC = 40A • VCE...

DXG20N65FS 650V TUBO IGBT para controle industrial

650V IGBT Single Tube para controle industrial Características  650V 20A, V CE (SAT) (TIP.) = 1,70 V@20A Technology Stop Field Stop IGBT. Capacidade de curto -circuito de 10μs .  Square RBSOA.  VCE positivo (ON) Coeficiente de temperatura....

1200V 25A módulos IGBT GSK25PJ120E2

Módulos IGBT 1200V/25A Características : ⚫ 1200V 25A, VCE (SAT) = 1,90V@25A ⚫ SPT （Soft Punch através da tecnologia ⚫ Perdas mais baixas ⚫ maior eficiência do sistema ⚫ Excelente capacidade de curto-circuito ⚫ quadrado rbsoa Aplicações gerais : Os...

DXG30N65HSEK 650V 30A TUBO IGBT

650V 30A, TO-247 Pacote IGBT Tubo único Características  650V 30A, VCE (SAT) (tip.) =1.7v@30a Technology Stop Field Stop IGBT. Capacidade de curto -circuito de 10μs .  Square RBSOA.  VCE positivo (ON) Coeficiente de temperatura. Benefícios  Alta...