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Mapa de inovação em semicondutores de potência da Mitsubishi Electric 2025
Aparelho com DIPIPMTM: Design compacto, eficiência poderosa Novos módulos IGBT de geração de energia: atualização de energia, capacitação verde Módulos HV para tração e transmissão de energia: alta tensão, carga pesada, escolta estável Esta série de módulos de potência de alta capacidade, ao adotar componentes proprietários de diodo e IGBT e combinar com uma estrutura de terminal de chip exclusiva, pode melhorar significativamente o desempenho de resistência à umidade, melhorar efetivamente a...
Visão geral do produto Tamanho pequeno, alta confiabilidade, baixo custo. Trinity aumenta a resistência do produto Avaliação e certificação rigorosas para garantir a qualidade dos produtos para envio Adotando o modelo IDM para construir um sistema de cadeia de suprimentos seguro e confiável Especificação do produto Cenário típico de aplicação - Carregamento rápido para celulares Lista de produtos No subcampo OVP bidirecional de 40 V, em comparação com produtos da mesma especificação na...
NCE 250V Recuperação reversa ultrarrápida SGT MOSFET Introdução ao produto
Vantagem Central Características Básicas Área de Aplicação Comunicação Fonte de alimentação industrial Circuito inversor Controle de motor 48V - 100V Amplificação de áudio classe D Para diferentes cenários de aplicação, a New Energy Power lançou diversas séries de produtos. No modelo NCEP025S90T, a letra “S” indica que este produto pertence à série super recuperação. Se não houver nenhuma letra aqui, indica a série geral da plataforma.
Análise do Princípio de Funcionamento da Proteção de Baterias de Lítio Comparação de esquemas de proteção de bateria de lítio O MOSFET de baixa tensão tipo slot NCE é adequado para aplicações em esquemas de proteção de baterias de lítio.
Os módulos de energia Jinlan capacitam a transformação de energia com tecnologia "Core"
A implementação de políticas depende, em última análise, da inovação tecnológica e de produtos fiáveis. A Jinlan Power Semiconductor, aproveitando suas vantagens de chip autodesenvolvido e recursos de ajuste personalizados, lançou soluções completas de módulos de energia em três áreas principais: armazenamento de energia, transformadores fotovoltaicos e de estado sólido. Atualmente, a maioria de seus produtos passou nos testes dos clientes e entrou na fase de produção em massa. ...
Introdução do produto lançou um produto adequado para inversores fotovoltaicos tipo string de 125KW: JL3T400V120SE3G7SS. Adota o pacote Jinlan LE3 (compatível com o pacote Easy 3B). Já passou nos testes dos clientes e está atualmente em fase de fornecimento em massa. Tecnologia central Excelentes parâmetros dinâmicos e estáticos, baixa queda de tensão, baixa perda dinâmica, adequados para cenários de aplicação de alta frequência e alta potência Através de um conjunto completo de verificação de...
O Power Device Business Group (PDBG) da China Resources Microelectronics alcançou outro avanço significativo em seu segmento de módulo de acionamento principal SiC. O módulo de acionamento principal SiC MOS de quarta geração desenvolvido de forma independente pela PDBG foi apresentado com sucesso a um fabricante automotivo líder e agora está em produção em massa para instalação em veículos. Este módulo é baseado no chip da plataforma SiC MOS G4 de 1200V da PDBG, apresentando um pacote ValueDual...
O rápido desenvolvimento da nova indústria de veículos energéticos está impulsionando uma forte demanda por soluções de gerenciamento de energia de alto desempenho, alta eficiência e altamente confiáveis. O Power Device Business Group (doravante denominado PDBG), com base em seu profundo acúmulo técnico no campo de semicondutores e contando com o layout de toda a cadeia do IDM, tem se concentrado continuamente nos campos de controle industrial de ponta e eletrônica automotiva, promovendo...
![A perda de comutação é reduzida em mais de 20% em comparação com produtos similares no mercado. * IPM automotivo [SAM265M50AS3]](http://bsg-i.nbxc.com/company/3b/3d6c094295733f1c4df944acfded5f.png?x-oss-process=image/resize,w_500/format,png)
Entre os motores usados para acionar os motores trifásicos de alta tensão da 【Série SAM2】, o 【SAM265M50AS3】 foi oficialmente colocado em produção em massa. A 【Série SAM2】 adota um design integrado tudo-em-um, incorporando componentes de comutação de saída, pré-drivers, diodos de auto-reforço com resistores limitadores de corrente e termistores, que são todos os componentes essenciais necessários para controlar acionamentos de motores trifásicos. O 【SAM265M50AS3】 atualmente produzido em massa...
Novo produto O Grupo Mitsubishi Electric anunciou em 11 de setembro de 2025 que começará a fornecer novos módulos compactos de semicondutores de potência DIPIPM para equipamentos domésticos e industriais (como condicionadores de ar de gabinete, aquecimento de bomba de calor e sistemas de água quente) em 22 de setembro. A nova série Compact DIPIPM inclui PSS30SF1F6 (corrente nominal 30A/tensão nominal 600V) e PSS50SF1F6 (corrente nominal 50A/tensão nominal 600V). Ao adotar transistores...
Módulo IGBT de alta densidade de corrente LE2 200A/650V
Módulo IGBT de alta densidade de corrente LE2 200A/650V JL3I200V65RE2PN é um módulo inversor de três níveis 650V / 200A INPC, usando chips IGBT7 com tecnologia de terminação de trincheira, equipado com um termistor (NTC) e tecnologia de pino de crimpagem PressFIT opcional. Este módulo IGBT é recomendado para uso em filtros de potência ativos (APF) e outras aplicações de três níveis. O APF pode ser amplamente aplicado nas redes de distribuição de indústrias, empresas e organizações...
Introdução aos produtos SOA MOSFET amplos da série HO da NCE
Principais vantagens tecnológicas 1. Corrente de curto-circuito de zona linear superforte, comparação de valores medidos de capacidade de curto-circuito O teste de capacidade de curto-circuito foi conduzido entre o produto representativo da ampla série SOA HO, NCE09N70A, e o produto mais antigo do mesmo nível de potência da NCE: a capacidade de curto-circuito na faixa linear aumentou em 50%, e a capacidade de curto-circuito da primeira categoria aumentou em 50%. 2. Área operacional segura...
NCE SJ MOSFET G4.0 800V e 900V Introdução ao produto
Comparação dos valores do multiplicador Rdson sob alta temperatura para produtos da mesma especificação: Comparado com Gen3, Gen4 diminuiu 16%; Os produtos Gen4 e internacionais I atingiram o mesmo nível. Comparação FOM: A versão Gen4 é 25% inferior ao Gen3 e aos produtos internacionais I. Modelo de produto Recursos do produto ● Densidade de corrente de alta potência ●Rsp com resistência ultrabaixa ● Alta confiabilidade ● Melhor FOM ● As características de temperatura da resistência de condução...
Chip de driver de porta em fase de canal duplo NSG4427 2A
NSG4427 é um driver de porta em fase MOSFET e IGBT de potência de baixa tensão. A tecnologia CMOS proprietária de imunidade de trava permite alta robustez. O nível de entrada é compatível com níveis de saída lógica CMOS ou LSTTL tão baixos quanto 3,3V. Possui uma ampla faixa de VCC, bloqueio de subtensão com atraso e um estágio de buffer de corrente de saída. A conexão paralela de dois canais pode aumentar a capacidade de condução. Características do produto: Substituição PIN2PIN do Infineon...
Introdução NCE RC-IGBT NCE15ER135LP
Este artigo recomenda um IGBT de condução reversa produzido pela NCE: NCE15ER135LP. Este é um produto embalado TO-3P de 1350 V com uma corrente nominal de 15 A a 100 ℃. Este produto adota o design de tecnologia de corte de campo micro-sulco de sétima geração. Esta estrutura pode aumentar significativamente a densidade da estrutura celular do dispositivo. Ao otimizar o design de armazenamento da operadora, bem como adicionar um design de camada de buffer multi-gradiente e tecnologia de processo...
MOSFET tipo trincheira de nível N30V 1mΩ
A plataforma de processo tipo trincheira da equipe de P&D da NCE lançou uma série de produtos MOSFET de canal N aprimorados com tensão nominal de 30V e resistência de 1mΩ. Superioridade do produto Ao adotar densidade celular ultra-alta e design de largura de linha pequena, usando a plataforma de processo tipo trincheira exclusiva da NCE, combinada com o processo otimizado de embalagem de produtos de grande corrente, tomando NCE011N30GU como exemplo, a resistência de condução típica é tão...
2153X Series 600V Auto-oscilante MOSFET/IGBT Driver Chip
Dispositivo semicondutor * N-Channel MOSFET Recursos do produto ● Substitua Infineon IR2153 (1) (S/D), IRS2153 (1) D (S) PBF com Pin2pin ● Proteção de menor tensão VCC e VB ● Tensão de operação máxima: 600V ● Proteção da zona morta ● CT, oscilador programável RT ● A tensão de grampo do VCC é de 15,6V ● Capacidade de corrente de condução: -Corrente desenhado / corrente fornecida = 1.2a / 1.5a ● Pacote SOP8, DIP8 Dip8 SOP8 Diagrama de blocos funcionais Escopo de aplicação recomendado Lâmpadas...
TrendForce (uma empresa de pesquisa e consultoria): No terceiro trimestre de 2024, a receita de flash da NAND aumentou 4,8%. Havia uma forte demanda por SSDs de nível empresarial, mas os pedidos de consumidores não se recuperaram. De acordo com a pesquisa mais recente da Trendforce, no terceiro trimestre de 2024, o volume de remessa da indústria da NAND Flash diminuiu em 2%de trimestre no trimestre, mas o preço médio de venda (ASP) aumentou 7%, impulsionando a receita geral do setor para...
Em 19 de março, o horário da Califórnia nos Estados Unidos, o Semi lançou o "Relatório de Outlook de fábrica de wafer de 300 mm para 2027 (relatório Fab Outlook de 300 mm para 2027)", afirmando que, devido à recuperação do mercado de memória e à forte demanda para fábricas de alto desempenho e de fábricas de uso em que as aplicações de uso de bomba são usadas para as fábricas de uso de pó de alto desempenho, as fábricas de uso de bom desempenho nas instalações de uso de bom desempenho...
Trendforce (uma empresa de pesquisa e consultoria): até 2025, a demanda por MLCCs será impulsionada pela infraestrutura da IA, e a situação de excesso de oferta enfrentará desafios. De acordo com as pesquisas mais recentes da Trendforce, em dezembro de 2024, o número de emprego não agrícola nos Estados Unidos e o Índice de Gerentes de Compras de Manufatura (PMI) eram melhores que as expectativas do mercado. Como resultado, o Federal Reserve dos Estados Unidos pode reduzir significativamente o...
De acordo com a pesquisa mais recente da Trendforce, devido ao fato de que os principais fornecedores de DRAM reduzirão gradualmente a produção de servidor e PC DDR4, bem como o fato de que os compradores estão se preparando ativamente para compras com antecedência, isso apoiou o aumento de preço dos módulos de servidor e PC DDR4 no segundo trimestre. Estima-se que o aumento seja melhor do que o esperado anteriormente, com um crescimento trimestral de 18-23% e 13-18%, respectivamente. A...
O primeiro sistema de design de chips de AI do mundo foi lançado.
De acordo com o relatório da Science and Technology Daily, o primeiro sistema de design totalmente automático do mundo para chips de processador baseado em tecnologia de inteligência artificial, denominada "Iluminismo", foi oficialmente lançada recentemente. Esse sistema pode obter design automatizado de processo completo, desde o hardware do chip até o software básico, indicando a realização do design da IA para chips. Além disso, seu design atingiu o nível de design manual de...
A TrendForce (uma empresa de pesquisa e consultoria): impulsionada pela forte demanda por IA, a receita das 10 principais empresas de design de IC em todo o mundo deve aumentar em 6% no primeiro trimestre de 2025. De acordo com a pesquisa mais recente da Trendforce, no primeiro trimestre de 2025, devido a mudanças na situação internacional, a preparação para produtos eletrônicos terminais foi iniciada anteriormente, e a construção de data centers de IA em todo o mundo levou a uma maior demanda...
Em 10 de abril de 2024, na Califórnia, EUA, semi -declarado em sua "Estatística do mercado de equipamentos de semicondutores em todo o mundo (WWSEMS)" relatam que, em 2023, as vendas globais de equipamentos de fabricação de semicondutores diminuíram ligeiramente 1,3% em relação ao registro histórico de 107 bilhões de dólares em 2022. A China continua sendo o maior mercado de equipamentos de semicondutores do mundo. O investimento na China aumentou 29% em relação ao ano anterior em...
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