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550V 23A N-canal Power MOSFET LSB55R140GF

550V N-canal MOSFET Power MOSFET LSB55R140GF para controle industrial Descrição Os MOSFETs do Lonfet ™ Power utilizam a tecnologia de super junção avançada para obter uma resistência extremamente baixa. Esse design os otimiza para aplicações que...

650V 120A IGBT Transistor DXG120N65GS

Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Características ⚫ 650V 120A, V CE (SAT) (tip.) = 1,8V ⚫ Permite recursos de comutação de alta velocidade ⚫ Aumenta a eficiência geral do sistema ⚫ Formas de onda de desligamento de corrente...

Alta eficiência 1200V 40A IGBT DXG40S120H Componente

Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Características  1200V, 40A, V CE (SAT) (TIP. =) 1.9V@V GE = 15V  Eficiência de sistema mais alta  Formas de onda de desligamento de corrente suave  Square RBSOA Visão geral Esses IGBTs...

IGBT de alta tensão DXG15S120H 1200V

Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Características  1200V15A, V CE (SAT) (TIP.) = 1,9 V@15A  Tecnologia SPT ( Soft Punch através)  Perdas mais baixas  Eficiência mais alta do sistema  Excelente capacidade de curto-circuito...

IGBT de alta tensão DXG25N120H 1200V 25A

Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Características  1200V, 25A, V CE (SAT) (TIP.) = 2,3 V@V GE = 15V  Comutação de alta velocidade  Eficiência de sistema mais alta  Formas de onda de desligamento de corrente suave  Square...

1200V 15A IGBT DXG15N120H para aplicações industriais

Dispositivos discretos semicondutores - tubo único IGBT Características Classificação 1200V/15A Classificação : apresenta uma tensão de saturação típica (VCE (SAT)) de 2,3V a 15A  Eficiência otimizada do sistema : oferece melhor desempenho de...

100W Minl Super Energy Storage Power Supply

A solução energética portátil final para viagens, aventuras ao ar livre e uso diário Descubra a mistura perfeita de energia e portabilidade com esta unidade de armazenamento de energia ultra compacta projetada para atender às demandas da vida...

MOSFET LSD65R380GF LSD65R380GF

650V N-canal MOSFET Power MOSFET 11A, 650V, 0,38Ω - LSD65R380GF Resumo do produto V ds @ t j, max: 700V R ds (on), máximo: 0,38Ω I DM: 33A Q g, tip: 21nc Descrição Este MOSFET de Power é fabricado usando a Tecnologia de Super Junction avançada . O...

1200V 600A Módulo de energia IGBT Legm600Cu120L7s para UPS

Módulo de potência IGBT 600A Módulo IGBT 1200V para UPS Características: • V CE = 1200V I C = 600A • Low V CE (SAT) • V cesat com coeficiente de temperatura positivo • Temperatura máxima da junção 150 ℃ • Pacote do tipo isolamento Aplicações: • O...

1500V N-canal Power MOSFET PTF09N150

1500V N-CHHHIGH PLANAR MOSFET Power MOSFET - 1500V 9A PTF09N150 Características gerais  Compatível com ROHS  R DS (ON), TIP. =2.8ω@v gs = 10v  Baixa carga portão minimize a perda de comutação  Diodo corporal de recuperação rápida Aplicações ...

Alta tensão N-canal Power MOSFET LND4N65

MOSFET LND4N65 Visão geral do produto Este Power MOSFET é desenvolvido usando a tecnologia avançada Planar VDMOS. O dispositivo projetado oferece baixa resistência, excelentes características de comutação e alta capacidade de energia de avalanche....

MOSFET LNB20N60

MOSFET LNB20N60 Perfil do produto Utilizando a arquitetura avançada do Planar VDMOS , este Power MOSFET oferece um dispositivo de alto desempenho caracterizado por RDS ultra-baixo (ON), excelente velocidade de comutação e capacidade de energia...

MOSFET LND12N65

Mosfet de canal n de alta tensão 650V 12A MOSFET LND12N65 Descrição O Power MOSFET é fabricado usando a tecnologia avançada do Planar VDMOS . O dispositivo resultante possui baixa resistência à condução, desempenho superior de comutação e alta...

300V N-canal Power MOSFET PTW50N30

300V N-canal MOSFET Power MOSFET para UPS - PTW50N30 Características gerais ​  R DS (ON), TIP. = 68mΩ@v gs = 10v  Baixa carga portão minimize a perda de comutação  Diodo corporal com características rápidas de recuperação Aplicações ...

Módulo de diodo de recuperação rápido de 1200V JCF200IDA12

Módulo de diodo 1200V JCF200IDA12Diodo de recuperação super rápido, 2x200a Características • Pacote padrão internacional com placa de base de cerâmica DCB • Construção de diodos duplos • Corrente de baixo vazamento • Baixa de tensão para a frente •...

Módulo de diodo de recuperação rápido de 1200V JCF200IDK12

Módulo de diodo 1200V JCF200IDK12 Diodo de recuperação super rápido, 2x200a Principais recursos • Pacote padrão internacional: utiliza uma placa de base cerâmica DCB. • Construção de diodos duplos • Fornece corrente de vazamento excepcionalmente...

Qinwei 600V 15A Diodos de recuperação rápida MUR1560FB

Dispositivos discretos semicondutores O Fast Recovery Diodo é um diodo semicondutor projetado especificamente para operações de comutação rápida. Características * Corrente de vazamento reverso inferior * Baixo consumo de energia, alta eficiência *...

MOSFET PTW69N30B

300V N-canal MOSFET Power MOSFET para SMPS - PTW69N30B Características gerais  Processo Planar Avançado  R DS (ON), TIP. = 40 MΩ@V gs = 10V  Baixa carga portão minimize a perda de comutação  Estrutura de portão de silício poli robusto Aplicações...

PTW90N20 200V N-CANNAL POWER MOSFET

200V N-canal MOSFET Power MOSFET - PTW90N20 (* Um MOSFET (transistor de efeito de campo de óxido de metal-semicondutor) é um dispositivo semicondutor controlado por voltagem e pertence à categoria de componentes eletrônicos , regula o fluxo atual...

1200V N-canal MOSFET PTF12N120 Transistor de alta potência

1200V N-canal MOSFET Power MOSFET - PTF12N120 Principais recursos Capacidade de comutação rápida RDS típico (ON) = 1,2Ω @ VGS = 10V Baixa carga do portão para perdas de comutação reduzidas Diodo corporal com características rápidas de recuperação...

MOSFET PTF24N90 MOSFET PTF24N90 para uso confiável

900V N-canal MOSFET Power MOSFET - PTF24N90 Recursos e vantagens Fabricado com processo planar avançado RDS típico (ON) = 320 MΩ @ VGS = 10V A carga baixa do portão minimiza as perdas de comutação Estrutura de portão de polissilício robusto Casos de...

600V N-canal MOSFET PTW26N60

600V N-canal MOSFET Power MOSFET --600V 26A PTW26N60 Aplicações  Driver de motor BLDC Welding Soldador elétrico  SMPS de alta eficiência Características gerais  Processo Planar Avançado  RDS (ON), TIP. = 250 MΩ@VGS = 10V  Baixa carga portão...

500V N-canal MOSFET PTW28N50

500V N-canal MOSFET Power MOSFET --500V 28A PTW28N50 Características gerais  Fabricada usando a tecnologia plana avançada  R DS (ON), TIP. = 170 MΩ@V gs = 10V  A carga baixa do portão minimiza as perdas de comutação  Estrutura de portão de...

250V N-canal MOSFET PTW50N25

N-Channel MOSFET Power MOSFET 250V 50A PTW50N25 Características gerais ​  R DS (ON), TIP. = 45mΩ@v gs = 10v  Baixa carga portão minimize a perda de comutação  Diodo corporal de recuperação rápida Aplicações  Conversores de energia DC-DC...