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Model No:PTH03N150
1500V N-C-CH High Planar MOSFET Power MOSFET - PTH03N150 Características gerais Compatível com ROHS R DS (ON), TIP. = 5,4 Ω@V gs = 10V Baixa carga portão minimize a perda de comutação Diodo corporal de recuperação rápida Aplicações ...
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Model No:LSD55R140GF
N-Channel MOSFET 550V 23A Power MOSFET, pacote TO-220F Perfil do produto Projetado com tecnologia avançada de super junção, os MOSFETs de potência Lonfet ™ alcançam o desempenho da condução inovadora. A característica de Ultralow na resistência...
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Model No:LSB65R180GT
Mosfet de canal n de alta tensão 650V 20A Power MOSFET - LSB65R180GT Descrição Aproveitando a tecnologia Super Junction de ponta, os MOSFETs de potência Lonfet ™ oferecem uma resistência excepcionalmente baixa. Essa característica os posiciona como...
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Model No:LSB55R140GF
550V N-canal MOSFET Power MOSFET LSB55R140GF para controle industrial Descrição Os MOSFETs do Lonfet ™ Power utilizam a tecnologia de super junção avançada para obter uma resistência extremamente baixa. Esse design os otimiza para aplicações que...
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Model No:LSD65R380GF
650V N-canal MOSFET Power MOSFET 11A, 650V, 0,38Ω - LSD65R380GF Resumo do produto V ds @ t j, max: 700V R ds (on), máximo: 0,38Ω I DM: 33A Q g, tip: 21nc Descrição Este MOSFET de Power é fabricado usando a Tecnologia de Super Junction avançada . O...
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Model No:PTF09N150
1500V N-CHHHIGH PLANAR MOSFET Power MOSFET - 1500V 9A PTF09N150 Características gerais Compatível com ROHS R DS (ON), TIP. =2.8ω@v gs = 10v Baixa carga portão minimize a perda de comutação Diodo corporal de recuperação rápida Aplicações ...
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Model No:LND4N65
MOSFET LND4N65 Visão geral do produto Este Power MOSFET é desenvolvido usando a tecnologia avançada Planar VDMOS. O dispositivo projetado oferece baixa resistência, excelentes características de comutação e alta capacidade de energia de avalanche....
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Model No:LNB20N60
MOSFET LNB20N60 Perfil do produto Utilizando a arquitetura avançada do Planar VDMOS , este Power MOSFET oferece um dispositivo de alto desempenho caracterizado por RDS ultra-baixo (ON), excelente velocidade de comutação e capacidade de energia...
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Model No:LND12N65
Mosfet de canal n de alta tensão 650V 12A MOSFET LND12N65 Descrição O Power MOSFET é fabricado usando a tecnologia avançada do Planar VDMOS . O dispositivo resultante possui baixa resistência à condução, desempenho superior de comutação e alta...
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Model No:PTW50N30
300V N-canal MOSFET Power MOSFET para UPS - PTW50N30 Características gerais R DS (ON), TIP. = 68mΩ@v gs = 10v Baixa carga portão minimize a perda de comutação Diodo corporal com características rápidas de recuperação Aplicações ...
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Model No:PTW69N30B
300V N-canal MOSFET Power MOSFET para SMPS - PTW69N30B Características gerais Processo Planar Avançado R DS (ON), TIP. = 40 MΩ@V gs = 10V Baixa carga portão minimize a perda de comutação Estrutura de portão de silício poli robusto Aplicações...
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Model No:PTW90N20
200V N-canal MOSFET Power MOSFET - PTW90N20 (* Um MOSFET (transistor de efeito de campo de óxido de metal-semicondutor) é um dispositivo semicondutor controlado por voltagem e pertence à categoria de componentes eletrônicos , regula o fluxo atual...
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Model No:PTF12N120
1200V N-canal MOSFET Power MOSFET - PTF12N120 Principais recursos Capacidade de comutação rápida RDS típico (ON) = 1,2Ω @ VGS = 10V Baixa carga do portão para perdas de comutação reduzidas Diodo corporal com características rápidas de recuperação...
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Model No:PTF24N90
900V N-canal MOSFET Power MOSFET - PTF24N90 Recursos e vantagens Fabricado com processo planar avançado RDS típico (ON) = 320 MΩ @ VGS = 10V A carga baixa do portão minimiza as perdas de comutação Estrutura de portão de polissilício robusto Casos de...
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Model No:PTW26N60
600V N-canal MOSFET Power MOSFET --600V 26A PTW26N60 Aplicações Driver de motor BLDC Welding Soldador elétrico SMPS de alta eficiência Características gerais Processo Planar Avançado RDS (ON), TIP. = 250 MΩ@VGS = 10V Baixa carga portão...
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Model No:PTW28N50
500V N-canal MOSFET Power MOSFET --500V 28A PTW28N50 Características gerais Fabricada usando a tecnologia plana avançada R DS (ON), TIP. = 170 MΩ@V gs = 10V A carga baixa do portão minimiza as perdas de comutação Estrutura de portão de...
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Model No:PTW50N25
N-Channel MOSFET Power MOSFET 250V 50A PTW50N25 Características gerais R DS (ON), TIP. = 45mΩ@v gs = 10v Baixa carga portão minimize a perda de comutação Diodo corporal de recuperação rápida Aplicações Conversores de energia DC-DC...
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Model No:SPTF20R10
200V N-canal MOSFET Power MOSFET - SPTF20R10 Características gerais R DS (ON), TIP. =9.3mω@v gs = 10v Baixa carga portão minimize a perda de comutação Diodo corporal de recuperação rápida Aplicações Conversor DC/DC Ideal para comutação...
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Model No:PTW30N50EL
500V N-canal MOSFET Power MOSFET - 500V 30A / PTW30N50EL Características gerais Processo Planar Avançado R DS (ON), TIP. = 150mΩ@v gs = 10v Baixa carga portão minimize a perda de comutação Estrutura de portão de silício poli robusto...
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Model No:LND7N65D
Dispositivos discretos semicondutores 650V 7A N-canal Power MOSFET Lnd7n65d Resumo do produto VDSS: 650V ID: 7a RDS (ON), MAX: 1.4Ω QG, Tip: 23.5nc Descrição O Power MOSFET é fabricado usando a tecnologia avançada do Planar VDMOS . O dispositivo...
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Model No:LNA20N50W
Dispositivo semicondutor de energia MOSFET LNA20N50W Descrição Esse MOSFET de potência utiliza a tecnologia avançada de fabricação do Planar VDMOS, fornecendo baixa resistência, eficiência de comutação aprimorada e alta robustez de avalanche....
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Model No:LND10N65
650V, 10A N-Channel Power MOSFET Descrição O Poder MOSFET é fabricado usando o avançado planar Vdmos tecnologia . O dispositivo resultante tem baixa condução resistência , troca superior desempenho e alto avalanche energia . Características ⚫ baixo...
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Model No:LSD65R380GT
Descrição O MOSFET LONFET TM POWER é fabricado usando a tecnologia avançada de super junção . O dispositivo resultante tem uma resistência extremamente baixa, tornando -o especialmente adequado para aplicações que requerem densidade de energia...
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Model No:LSD65R180GF
Descrição Este Power MOSFET emprega tecnologia avançada de super junção em sua construção. O dispositivo projetado oferece uma mínima resistência, tornando-o ideal para aplicações que exigem densidade de energia superior e eficiência excepcional....
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